不是小米6S的機會！華為旗艦「快閃記憶體門」，倒逼中國誓要國產快閃記憶體

歐界報導：

日前，華為的年度旗艦遭遇「快閃記憶體門」，網友曝光華為P10不同批次手機採用了不同規格的快閃記憶體晶片。

簡單來說，很多P10用戶用AndroBench等測試軟體跑分時，發現自己的手機存儲性能遠遠低於早前網上的評測數據。

一時間網上聲討之聲不絕於耳。

對於華為的「偷工減料」，也有網友認為其原因是：近年來華為快閃記憶體供貨不足，UFS被上游廠商卡了脖子，所以有些批次的P10不得不選擇其他版本的快閃記憶體備用。

小編對於這個說法是比較認可的。

智慧型手機的存儲晶片（ROM）源於NAND快閃記憶體，這就意味著快閃記憶體晶片是智慧型手機的核心器件之一，這也成了手機差異競爭的一個方面。

快閃記憶體被卡脖子，這也不足為怪。

華為的這次「快閃記憶體門」也讓國人注意到了快閃記憶體對於國產機的重要性，但現在國內快閃記憶體行業到底是個怎樣的情況？

2014年底，Intel聯合鎂光發布了3D NAND快閃記憶體結構。

這種平地起高樓的辦法瞬間解決了之前快閃記憶體的缺點。

而且為將來的快閃記憶體容量拓展，留下了很高的空間，也就是從這個技術開始，手機存儲開始有了128G、256G等等。

也就是說，從3D NAND技術開始，快閃記憶體晶片的速度，已經趨向於統一，不同品牌之間最大的區別就是產能和容量了。

最重要的是，現在由固態硬碟（SSD）轉向3D NAND快閃記憶體發展已經是晶片市場大勢。

的確，半導體存儲器晶片行業是一個高技術壁壘，高資金壁壘，高度壟斷的「三高」行業，是一個難以啃下的硬骨頭。

但3D NAND作為一種創新的半導體存儲技術，在大數據需求快速增長的時代下，存儲器晶片尤其是3D NAND已成為電子信息領域最重要的集成電路產品，市場空間極其巨大。

這塊肥肉也讓蘋果垂誕不已。

據悉，蘋果正打算與「好基友」富士康共同投資進而掌握東芝的快閃記憶體晶片業務。

東芝是快閃記憶體晶片技術的發明者，而且其是目前全球第二大快閃記憶體晶片供應商。

2015 年推出了世界上第一個 256 GB 的 48 層 BiCS 3D 快閃記憶體，並在去年用在 iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 內部。

如果蘋果得手，其將進一步補齊產業鏈，降低成本，使得蘋果手機的競爭力直線飆升。

目前快閃記憶體市場的壟斷情況較為嚴重，全球NAND快閃記憶體晶片市場至今是被韓國三星、韓國海力士、美國美光、美國英特爾和東芝等少數科技企業壟斷，連技術都掌握在這幾家巨頭手裡。

無論是誰爭奪到東芝快閃記憶體業務，未來的收益是可期的。

所以，在東芝要出售快閃記憶體業務時也有國內企業要競購，但東芝為防止技術泄露，拒絕中國公司競價。

NAND快閃記憶體晶片在全球市場中的重要性毋庸再說。

事實上，一年下來，全球大約一半的存儲晶片產能是被中國消耗的。

實際上，自2014年率先宣布量產 3D 快閃記憶體晶片到目前為止，在3D NAND領域，三星已經成為全球第一大快閃記憶體晶片供應商。

而且，三星量產了48層產品的同時，正開足馬力像64層和90層產品飛奔。

換而言之，在3D NAND生產方面，實力最強的仍以韓國三星領先，東芝、閃迪與SK海力士其次，國內還是很虛弱。

一直在前進著，所以留給國內廠商的時間很緊迫了。

國產3D快閃記憶體一直在奮力追趕競爭者。

而且，這些年國家已經開始大舉發展國產晶片，快閃記憶體晶片也在其列。

據悉，紫光集團旗下的長江存儲技術公司目前正在規劃開發自己的 DRAM 存儲器製造技術，而且可能直接進入當今世界最先進的 20/18 納米的製程中。

預計，長江存儲計劃在 2017 年底開始對客戶提供 32 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體的樣品，然後繼續往開發 64 層堆疊 3D NAND Flash 的產品邁進。

更值得注意的是，2016 年 3 月，長江存儲就已啟動了武漢存儲器基地建設，總投資 240 億美元 ，預計 2018 年正式投產，而到了 2020 年時達成月產能 30 萬片的規模。

中國做存儲是必然的，但道路也是坎坷崎嶇的。

所有一切都是從零開始。

因此，小編在這裡也先預祝長江存儲能把快閃記憶體給搞起來，也期待更多的國產企業投身快閃記憶體行業。

智慧型手機所使用的快閃記憶體對整個手機的使用體驗有很大的影響，就是說，快閃記憶體對國產機來講是非常重要的元件。

但是有個殘酷的事實：然而當前快閃記憶體格局單一，快閃記憶體產品供應鏈掌握在別人手上。

因此，為根本避免華為「快閃記憶體門」的再次重演，發展國產快閃記憶體晶片必須進行到底。

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