重磅消息：高端晶片製造設備5nm刻蝕機、22nm光刻機研製成功！

【新華社發布消息】 11月29日，國家重大科研裝備研製項目「超分辨光刻裝備研製」29日通過驗收。

該光刻機由中國科學院光電技術研究所研製，光刻分辨力達到22納米，結合雙重曝光技術後，未來還可用於製造10納米級別的晶片。

中科院理化技術研究所許祖彥院士等驗收組專家一致表示，該光刻機在365納米光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米。

項目在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發新路線，繞過國外相關智慧財產權壁壘。

光刻機是製造晶片的核心裝備，我國在這一領域長期落後。

它採用類似照片沖印的技術，把母版上的精細圖形通過曝光轉移至矽片上，一般來說，光刻分辨力越高，加工的晶片集成度也就越高。

但傳統光刻技術由於受到光學衍射效應的影響，分辨力進一步提高受到很大限制。

為獲得更高分辨力，傳統上採用縮短光波、增加成像系統數值孔徑等技術路徑來改進光刻機，但技術難度極高，裝備成本也極高。

項目副總設計師胡松介紹，中科院光電所此次通過驗收的表面等離子體超分辨光刻裝備，打破了傳統路線格局，形成一條全新的納米光學光刻技術路線，具有完全自主智慧財產權，為超材料/超表面、第三代光學器件、廣義晶片等變革性領域的跨越式發展提供了製造工具。

據了解，這種超分辨光刻裝備製造的相關器件已在中國航天科技集團公司第八研究院、電子科技大學、四川大學華西醫院、中科院微系統所等多家科研院所和高校的重大研究任務中得到應用。

此項重大突破，將對我國高端晶片製造帶來極大利好，高端晶片製造受制於國外的時代即將過去。

而以下這條消息，卻是我國已經走在世界高端晶片製造最前列：

【上觀新聞】近日，台積電對外宣布，將在2019年第二季度進行5nm製程風險試產，預計2020年量產。

與此同時，中微半導體也向「上觀新聞」透露了一個重磅消息，其自主研發的5nm等離子體刻蝕機經台積電驗證，性能優良，將用於全球首條5nm製程生產線。

值得一提的是，中微半導體也是唯一進入台積電7nm製程蝕刻設備的大陸本土設備商。

據悉，中微半導體與台積電在28nm製程時便已開始合作，並一直延續到10nm和7nm製程。

【小知識】

「光刻」是指在塗滿光刻膠的晶圓（或者叫矽片）上蓋上事先做好的光刻板，然後用紫外線隔著光刻板對晶圓進行一定時間的照射。

原理就是利用紫外線使部分光刻膠變質，易於腐蝕。

「刻蝕」是光刻後，用腐蝕液將變質的那部分光刻膠腐蝕掉（正膠），晶圓表面就顯出半導體器件及其連接的圖形。

然後用另一種腐蝕液對晶圓腐蝕，形成半導體器件及其電路。

通俗地說：光刻機先把圖案印上去，然後刻蝕機根據印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩餘的部分。

相對而言，刻蝕相對光刻要容易。