世界首台！中國超分辨光刻裝備重大突破，晶片福音

一直以來，我過晶片的製造一直受制於人，在晶片製造的核心，光刻機領域亦是如此，晶片發展的命運往往遭外國禁售，掐住我們的脖子，我們也只能逆來順受。

你說氣人不！

不過！就在今天11月30日，中科院之聲發布了一條微博，表示國家重大科研裝備研製項目「超分辨光刻裝備研製」11月29日通過驗收。

該光刻機由中國科學院光電技術研究所研製，光刻分辨力達到22納米，結合雙重曝光技術後，未來還可用於製造更高級別的晶片。

這消息一出可謂是大快國人心啊！想到今年中興事件，國產光刻機的出現帶給了我們一些慰藉！

而光刻機是製造晶片的核心裝備，我國在這一領域長期落後。

它採用類似照片沖印的技術，把母版上的精細圖形通過曝光轉移至矽片上，一般來說，光刻分辨力越高，加工的晶片集成度也就越高。

而這項技術也只有世界上少數廠家掌握。

因此曝光機價格昂貴，通常在 3 千萬至 5 億美元。

當下，世界三大晶片代工廠台灣台積電、韓國三星以及美國英特爾每年都會向荷蘭ASML預訂購買幾台最新光刻機，用來改進晶片工藝。

今年上半年，國產企業長江存儲和中芯國際也終於排到隊，以總價值12.3億元的價格向ASML進口了兩台光刻機。

可見關鍵技術的壟斷性之強

該光刻機在365nm光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米。

項目在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發新路線，繞過國外相關智慧財產權壁壘。

而在以後能通過雙重曝光達到10nm級！真的是為我過晶片領域的發展，起到了巨大的促進作用！

這一研發成果又繞開了國外的技術和專利壁壘能自主生產所需的高科技設備，值得高興但也僅僅是一個開頭！雖然當前世界最新的製程已經達到了7nm，但是這一次使用雙重曝光技術未來可以做到10nm，也就是說製程遞進在技術上沒有障礙，只不過當前只能在一些特殊領域使用，因為當前上下游的配套還沒有跟上。

在這裡，我堅信我們偉大的祖國能在更多世界先進技術領域有更多的話語權。

加油！中國