國產存儲晶片最新突破！

在被美日韓掌控的存儲晶片市場上，終於有中國公司可以殺進去跟國際大廠正面競爭了。

今天上午，紫光集團旗下長江存儲宣布，公司已開始量產基於Xtacking®架構的64層256 Gb TLC 3D NAND快閃記憶體！

這也是中國首款64層3D NAND快閃記憶體，意味著國內在存儲晶片有了新的突破。

在2018年，長江存儲已經量產了32層3D NAND快閃記憶體晶片，技術得到了驗證。

如今，隨著64層3D NAND量產，長江存儲繼續探索高端晶片製造。

市場應用方面，長江存儲計劃推出集成64層3D NAND快閃記憶體的固態硬碟、UFS等產品，以滿足數據中心，以及企業級伺服器、個人電腦和移動設備製造商的需求。

長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示：「通過將Xtacking®架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發周期和生產製造周期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。

」程衛華還提到，「隨著5G，人工智慧和超大規模數據中心時代的到來，快閃記憶體市場的需求將持續增長。

」

從全球市場看，存儲晶片競爭激烈，三星、海力士、東芝、西部數據、美光、英特爾等巨頭在產能上持續投入，技術也一直領先。

2018年，64層、72層的3D NAND快閃記憶體就已經是主力產品，2019年開始量產92層、96層的產品，到2020年，大廠們即將進入128層3D NAND快閃記憶體的量產。

因此，國內存儲產業還處在追趕階段，不過差距正在縮小。

據了解，長江存儲有可能跳過9字頭，直接進軍128層3D NAND快閃記憶體產品。

2014年11月，中國成立國家集成電路大基金，這個基金推動中國先進集成電路產業發展。

2016年3月，在集成電路產業基金的支持下，武漢新芯宣布投資240億美元在武漢打造一個世界級的半導體存儲企業，集中精力研究生產NANDFLASH和DRAM。

項目分三個階段部署，第一家工廠專注NAND快閃記憶體生產，第二家工廠專注DRAM晶片生產，第三個階段的設施將專為供應商服務。

請注意，第一家工廠是做NAND FLASH的，正是長江存儲是優先量產NAND FLASH產品。

2016年7月，紫光集團參與進來，各方在武漢新芯公司的基礎上成立了長江存儲公司並控股武漢新芯。

長江存儲由紫光集糰子公司紫光國芯，集成電路基金、湖北國芯產業投資基金合夥企業和省科投共同出資。

其中，紫光國芯出資197億元人民幣，占51.04%。

2017年1月，紫光集團進一步宣布投資300億美元，在江蘇南京投資建設半導體存儲基地，一期投資100億美元，建成月產能10萬片，主要是生產3D NAND FLASH(快閃記憶體)、DRAM存儲晶片。

2018年6月，紫光集團宣布投資240億美元，在西川成都建3D快閃記憶體工廠，2018年10月中旬動工，預計2020年12月主體完工，第一期建成之後，將月產10萬片，三期都完成後將擁有月產30萬片的一個生產能力。

武漢工廠240億美元+南京工廠300億美元+成都工廠240億美元，長江存儲項目中國砸了780億美元，NAND Flash便是長江存儲最先發力的方向。

而長江存儲目前的表現沒有辜負我們對它的期望。

文章來源：中國半導體論壇