中國首款！長江存儲64層3D NAND快閃記憶體開始量產

中證網訊（記者 吳科任）中國證券報記者從紫光集團獲悉，紫光集團旗下長江存儲於9月2日正式宣布，公司已開始量產基於Xtacking?架構的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND快閃記憶體，以滿足固態硬碟、嵌入式存儲等主流市場應用需求。

長江存儲64層3D NAND快閃記憶體是全球首款基於Xtacking?架構設計並實現量產的快閃記憶體產品，擁有同代產品中最高的存儲密度。

Xtacking?可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利於選擇更先進的製造工藝。

當兩片晶圓各自完工後，創新的Xtacking?技術只需一個處理步驟就可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。

相比傳統3D NAND快閃記憶體架構，Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產品上市周期。

長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華表示：「通過將Xtacking?架構引入批量生產，能夠顯著提升產品性能，縮短開發周期和生產製造周期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展。

」程衛華還提到，「隨著5G、人工智慧和超大規模數據中心時代的到來，快閃記憶體市場的需求將持續增長。

長江存儲64層3D NAND快閃記憶體產品的量產將為全球存儲器市場健康發展注入新動力。

」

公開資料顯示，2016年，長江存儲在NOR Flash晶圓製造商武漢新芯的基礎上，由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資組建而成，負責國家存儲器基地項目（總投資約為240億美元）的研發、建設和運營。

長江存儲於2017年研製成功中國第一顆3D NAND快閃記憶體晶片。

2018年8月公開發布其突破性技術——Xtacking技術。

據中國證券報記者此前了解，儘管32層3D NAND已有小批量生產，但大批量生產並不在長江存儲的計劃之內，其瞄準的是與全球巨頭縮小差距，儘快追上64層甚至128層的全球領先水平。

值得一提的是，除了通過布局3D NAND進入外儲存器市場外，紫光集團也在主存儲器市場做了布局。

8月27日，重慶市人民政府與紫光集團簽署紫光存儲晶片產業基地項目合作協議。

根據協議，紫光集團將在重慶兩江新區發起設立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產業基金，建設包括DRAM總部研發中心在內的紫光DRAM事業群總部、DRAM存儲晶片製造工廠、紫光科技園等。