SK Hynix宣布量產HBM顯存：20nm工藝

隨著AMD的Fury X顯卡的發布，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內存）技術也正式登上舞台，與目前的GDDR5內存相比，HBM單晶片的帶寬從28GB/s提升到了128GB/s，同時功耗降低至少50%。

HBM顯存主要是AMD和SK Hynix推動的，後者表示他們正在使用20nm工藝大規模量產HBM顯存，而HBM不僅可以用於顯存，其他如DRAM、NAND及SSD解決方案也可以使用HBM，應用前景還是很廣闊的。

對於HBM的特點和優勢，最近我們已經連篇累牘地介紹過了很多，詳情可以參考AMD詳解HBM顯存：性能遠超GDDR5，功耗降50%，面積小94%一文。

昨天的北京發布會上，AMD公司也請來了HBM之父Bryan Black院士到現場給大家講解了HBM顯存的內幕，從技術角度來說HBM確實是一次（嗶~），不僅性能更強、功耗更低，其極低的占用面積使用小尺寸高性能Fury顯卡成為現實，稱之為晶片設計上的一次革命並不為過。

SK Hynix目前正在使用20nm工藝大規模量產HBM顯存，雖然主要是跟AMD合作研發的，不過HBM並不是只用於顯存的，SK Hynix正在設法滿足DRAM內存、NAND快閃記憶體及SSD固態硬碟等領域的客戶需求，所以HBM技術未來的應用前景很廣泛。

AMD、SK Hynix目前研發的HBM技術還是第一代的，是4Hi堆棧的，單顆晶片容量1GB，帶寬128GB/s，Fury X的總顯存容量也只有4GB。

明年SK Hynix還會推出HBM2顯存，核心容量從2Gb提升到8Gb，支持4 Hi及8 Hi堆棧，單晶片帶寬也提升到256GB/s，也就是說性能及容量都在成倍增長，2016年NVIDIA的Pascal及AMD新一代GPU架構都會使用HBM2顯存了。

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