華虹、兆易、長電、盛美、芯原在慕尼黑現場的演講精髓全在這裡!

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3月20日—3月22日,全球最大規模的半導體年度盛會SEMICON China 2019 在上海舉辦。

此次盛會囊括了多場高端論壇以及技術研討會,眾多行業專家企業領袖等受邀發表演講,從技術發展狀況、市場發展趨勢以及產業格局等方面提出自己獨特、創新且先進的見解。

筆者先給大家提供一波兒SEMICON China 2019 盛美半導體的現場提問問答環節,看看是否有感興趣的問題!

1、拋光及電鍍設備的工藝節點大概是?

拋光新產品主要是用在先進封裝,未來5G技術和AI晶片快速發展,對於數據傳輸要求比較高,目前TSV 3D 良率較低成本較高,2.5D在現在乃至未來是更好解決方案,所以AI技術所帶來的高密度的封裝和數據傳輸將會是一個爆發點,目前系統封裝就需要這個技術,台積電的話要看他怎麼做,目前認為新技術的發展驅使下,未來將對電鍍以及拋光設備有更多的需求。

因為線寬要鍍五微米以上,要用CMP作的話,最大的問題就是一個拋光粉成本較高,還有同時拋光的鍍層也比較厚也要花費很長時間,這兩塊的費用都會非常高,大約20到30美金。

除非目前拋光液可以國產化,才可能降低一點成本。

但是最核心的就是CMP的拋光液不能重複使用,因為裡面有顆粒,如果重複使用就會在表面產生劃痕使得產品報廢,這就會造成高成本,同時CMP的廢棄拋光液進行處理時也較麻煩,首先要去除裡面的金屬然後再打包埋入地下。

2、剛剛說到的拋光三步驟工藝可以降低80%左右的成本,請問電拋光、化學機械拋光以及刻蝕哪一步的成本降得最明顯?

電鍍銅大約在五微米以上甚至到十微米以上,我們利用電拋光完成95%左右的銅拋光量。

剩下的部分再利用CMP技術,因為電拋光無法拋得很平。

然後去除阻擋層時,我們自己開發了濕法刻蝕。

這些工藝會使拋光粉的用量大大減少。

3、新技術的電拋光的拋光粉如何處理呢?

目前我們有一個新的方法,產品圖中我們有一個裝置還沒有畫出 我們可以用電鍍的方式把銅再抽出來,銅將富集到陰極一個面板上,之後進行再加工處理後可以重複使用,不會產生環境污染。

4、電鍍設備所使用的工藝節點是?

我們所設置的是從28nm切入,現在包括SMIC等是處於45到28nm製程之間,未來我們設備也可以用於12nm 10nm 7nm 5nm,以後將發展的越來越好。

5、為什麼我們的設備不考慮與競爭對手等進行專利授權或者進行專利互換呢?

半導體設備市場沒有一家用核心專利換東西,設備太排他性,涉及到市場瓜分和專利糾紛等一系列問題,一般很難共享。

6、硫酸清洗以前的技術是如何?

答:以前的技術都是在50nm以上,51nm就是批式清洗,那時候可以完成單片清洗用量的十分之一,而現在進入28nm,逐漸由批式清洗轉為單片清洗,硫酸用量需要增加10倍,如果按以前老的技術進行,6萬噸硫酸可以用於30個fab,由於單片硫酸清洗更乾淨,但硫酸用量增加了10倍,只夠用於3個fab,而盛美半導體的第三類產品新技術又從單片回到批式,但不是簡單的回去,是將硫酸回到批式,將wafer拿出來繼續清洗,效果和單片清洗一樣,但清洗硫酸用量回到了批式水平,即現在的十分之一,使新技術往下走時所增加的硫酸用量又回到原來水平,因此使用這個技術,在硫酸用量問題上可以保證10倍節省,原來的6萬噸硫酸能做的不是3個fab廠10萬片wafer,而是30個fab廠100萬片wafer。

7、關於成本方面的問題?

答:舉個例子DRAM工藝,一年如果採用盛美半導體的設備(多台),可以節省1200萬美金費用,採用盛美半導體的技術每年費用大概為150萬美金,如果不用盛美半導體的技術總共費用約為1300萬美金,盛美半導體第三類新產品節省了90%的費用,5年約可以節省6000萬美金,此外從環境方面而言,盛美半導體第三類新產品對緩解環境壓力的衝擊更大。

8、對fab的客戶而言,晶圓廠的良率決定他的盈利能力,這個方面新開發的設備在客戶採用方面目前的良率如何?新開發的設備性能很吸引人,能透露一下設備基台的售價?

答:第一台設備今年一月份已交付核心客戶,正進行裝機測試,良率數據應該在半年之後才可出來。

但是從手頭上的初步數據顯示清洗效果和單片清洗無太大區別,但仍需要良率驗證。

關於售價方面,客戶買你的設備其實不在乎售價是多少,更關心的是你的設備能為他節省多少錢,能為他創造多少價值。

當然盛美半導體第三類新產品不會因為能節省費用,創造價值,而使價格過高,盛美半導體第三類新產品價格仍將是業界比較公平的水平,盛美半導體公司毛利在40-45%之間,盛美半導體第三類新產品真正的定位還沒確定,但是絕不會太多偏差公司的毛利水平。

9、6億美金的市場,現在被東京電子等公司占領,盛美半導體第三類新產品市場占有率能有多少?

答:目前單片清洗只有D公司和T公司,整個市場都有競爭性,對於盛美半導體第三類新產品能有50%的市場占有率就滿意了。

10、您之前提到3種新設備都有出貨,第三種設備處於測試階段,那前兩種設備也是處於測試階段嗎?還有盛美半導體的客戶是國內的fab廠還是國外的廠商?

答:現在三種設備都有訂單,第一台給第一個客戶,是demo階段,盛美半導體承諾做不好會將設備回收,但目前為止還沒有一台設備回來,做好了客戶才付錢。

三種設備都有訂單,但是要做好之後才可以收錢,這麼做確實有風險,再送出去給客戶之前盛美半導體自己得有一個評估,這個設備到底能不能被接受。

11、有沒有一個預測的數據可以告訴我們,比如今年能賣出多少台?接下來多長時間能賣出多少台?

答:首先核心客戶先驗證,驗證完他必然會下下一台出貨訂單,在這期間,在重複訂單出來之前,估計別的客戶都會處於觀望狀態,但也有可能別的客戶看到核心客戶在購買,也會進行嘗試。

所以盛美半導體預測大量訂單應該在核心客戶驗證完產品良率,提交重複訂單後才會出現。

半導體銷售真要花時間,不是說提出一個好技術,好工藝,客戶都會立即購買。

半導體生產線便宜的為30億美金,台積電的3/5nm生產線更高達200億美金,生產線上每台設備都是鏈條,表現出串聯效應,每台設備每個環節如果質量不過硬,生產線就無法運行,因此對更換任何一個設備都非常謹慎,半導體設備銷售是一個長期的過程。

12、第三個產品有專利保護,但整個產品衍生的邏輯其實還是比較清晰的,從槽式到單片再到單片和槽式相結合,按理講這不是只有我們這一家公司可以想到的,那請問我們的專利保護到底是保護在那個層級,上升到和別人完全不同,防止模仿我們的產品,還是說可有類似的產品出來和我們競爭,我們如何去保護之前提到的我們希望的50%的市場份額?

答:專利也是一門學問,將槽式和單片兩種模式簡單的結合是肯定拿不下來的,誰都能想到。

但是在槽式變單片過程中包含很多步驟,還有很多核心的過程在裡面,盛美半導體把核心步驟專利化,結構專利化,如果其他公司想跨過盛美半導體的步驟,跨過設計的構架還真是困難的,所以現階段我認為是非常新興的。

如果別的公司想進入必然要做很多很多工作,還不見得能進入這個市場。

半導體就是具有這一大特點,卡在核心技術上,無法繞過,因為越到基礎,可以選擇的方式越少。

13、比如一個fab廠,有槽式設備,也有單片設備,先用自己的槽式清洗完,再用單片清洗不也可以?

答:先用槽式洗完,再用單片清洗,這肯定也可以,但是肯定不如盛美半導體的新設備。

盛美半導體第三類新產品槽式清洗完後是濕的,如果等到wafer幹了整個工藝就完了,同時時間節點也很重要,槽式清洗完必須立即進行清洗,不能讓顆粒停留時間過長,這是盛美半導體第三類新產品最核心的部分。

14、我們的設備主要用於先進封裝領域,那在晶片製造中是否會有應用場景?這些設備都是應用在集成電路中,那麼現在在OLED處於mini OLED時很多也是Si基的,那我們的設備有沒有可能在這方面有些應用場景?

答:膜很厚時,前道處理時,0.3-0.5um下電拋光節省成本就沒什麼意義了,但第二個拋光是沒有機械力的,盛美半導體還有專利即先用CMP拋平,最後一道用電拋光。

電拋光能做什麼呢?如果介電材料是2.0以下的超低k材料,CMP就不行了,必須使用盛美半導體的技術,但現在唯一的缺陷或遺憾是2.0以下的超低k材料還不夠成熟,需要等其成熟了盛美半導體的技術才可以應用上去,所以有時候好技術不一定能得到應用,還需要等時機。

關於OLED,取決於應用大小,如果是同質層,線比較寬,高寬比較大,就有意義了,如果線比較窄,那可以直接用CMP,不需要盛美半導體的技術,所以還是要看具體的情況。

問答觀看完畢,是否還意猶未盡,接下來讓我們一起進入正題,分別針對設計、代工、存儲器、設備,由行業大咖做詳細見解分享!

1、半導體設計:迎接AI「芯」時代

芯原董事長兼總裁2019:人工智慧與半導體技術論壇演講

中國半導體消費市場持續增長。

根據IBS數據,2010年中國企業在中國市場內消費的半導體產品占據全球總量的15.8%,預計到2020年將達到45.7%,且在2027年將進一步提升到64.2%。

受益於製造環節拉動,中國半導體將迎來新的發展機遇。

根據SEMI數據,2017年到2020年間,全球會有62座新晶圓廠投入運營,其中26座將建在中國(占比42%)。

而根據IC Insight,2019年全球將有9座新的12英寸(300mm)晶圓廠投入生產,其中5座將建在中國。

這些都說明半導體產能不斷向中國轉移,中國逐漸成為全球半導體製造的核心基地,受益於製造環節的拉動,中國半導體產業鏈將迎來新的發展機遇。

中國逐漸發展為新晶片產品設計的主要基地。

中國集成電路設計發展迅猛。

據統計,在2015年中國fabless企業共736家,經過3年的迅猛發展,到2018年已超過1600家。

中國集成電路產業發展仍然面臨以下三大挑戰:(1)市場自給率仍然不高;(2)設計跟隨,缺乏創新;(3)人才缺口大。

全球科技產業正處於兩輪科技紅利的中點。

科技逐步從「移動」發展到「AI」和從「2C」發展到「2B」,未來數據智能將引領科技發展。

  • 智能音箱產品發展迅速。

    在CES2019大會中,多款功能齊全的智能音箱產品被展出。

    根據Future Source,2019年智能音箱出貨將達到7400萬,同比增長37%,並在未來三年保持較快增速。


  • 無線耳機市場規模領銜可穿戴設備。

    預計將到2022年無線耳機出貨量將達到1.58億部,在可穿戴設備總出貨量中的占比超過30%。

    無線耳機將支持虛擬個人助理,可以用於免提導航等多種任務。

    目前BLE5.1應用場景十分豐富。

關於芯原

公司在全球共有740多名員工,研發人員占比80%。

目前芯原集團已經在2018年11月完成拆紅籌重組,2019年1月完成股改,確立芯原上海為未來上市的主體公司。

芯原是全球領先的汽車電子圖形IP(GPU)供應商。

公司推出了第一款對標level 4的產品,在儀錶盤GPU領域圖形IP供應商中排名世界第一;在車載信息娛樂領域圖形IP供應商中排名第二;在后座娛樂系統領域圖形IP供應商中排名第三。

公司產品在市場中擁有高占有率,客戶遍布全球。

公司深耕嵌入式市場超過十年,目前擁有50多個專利,出貨量達到3億台。

芯原圖芯的高性能GPU IP被眾多國產CPU採納。

公司先前與華為手機進行GPU供應合作,但是產品載入手機較難,合作並未深入。

公司目前產品在汽車領域應用十分廣泛,並且被眾多國產CPU採納。

公司作為一家典型的高科技企業,從研發IP到走入生產線需要較長的周期和較大的資本投入。

科創板的出現將為高科技企業帶來更多的融資機會,進一步扶持企業的發展。

2、封裝:中國將迎來下一波封裝機遇

長電科技首席執行長:SEMICON China開幕主題演講

李春興博士在開場就提及封裝的重要性。

目前在IC產業鏈中,封裝約占10-15%的比重,作用是非常重要的。

李春興博士認為,在過去的幾年裡,產業併購對封裝業產生巨大的影響。

他表示,目前封裝產業正在經歷巨大的轉變。

主要是因為併購之後,客戶數量減少了很多,使得封裝業的市場競爭更加激烈。

隨著產業向汽車電子和IoT等領域轉移,先進封裝技術的投資越來越大。

營利增長緩慢,導致更長的投資回報期。

李春興博士認為,中國將迎來下一波封裝機遇,主要中國企業對封裝的需求增長快速。

中國IC設計公司在 2018年全球前五十大IC設計公司排行榜上占據了11個席位,而在2009年只有1家;11家IC設計公司中,有5家都是聚焦於目前最熱門的智慧型手機市場;2018年中國IC設計公司的總營收占全球IC設計公司總營收的12%,而在2010年僅是5%;且在2018年全球前十大IC設計公司營收增幅排行榜上有4家中國IC設計公司,分列1、3、4、9位。

李春興指出,從應用來看,現在移動設備用IC對封裝企業的貢獻達到了五六成,而如果移動設備市場不景氣,則將對封裝產業造成很大的影響。

但李春興也表示,在封裝領域也有一些細分市場在增長,如模擬市場包括電源管理、無線通信、工業應用等,需要抓住這些新的成長機會。

全球IC出貨總數中,模擬IC的出貨數量占比逐步提高,1980年約占32%,到2015年超過50%,達到53%,而2018年達到55%,預估到2023年將升至58%。

李春興博士更強調,模擬產品永遠不會死掉。

3 、半導體存儲器:開啟數據驅動新紀元

兆易創新戰略營銷副總裁:SEMICON China演講

70年代必須讓所有程序存儲大量的信息和材料,不可進行擦除操作,ROM憑藉第一代固態解決方案取得了關鍵性優勢,但其主要受無柔性掩膜和成本的限制;到了80年代,出現了可擦除的UV-EPROM,第一台PC有窗口,因為需要拿出來並放在UV光下,以便帶走存儲在柵介質中的電子。

一旦具備可擦寫的編程,便是一個巨大的成功。

技術的演變方式是先有應用程式,然後就會有問題需要解決,最後提供適合之前解決方案的技術和解決方案,這就是UV光可擦除問題在十年內取得成功的原因。

到了10年推出了NOR-Serial產品,憑藉其小巧柔性的外形和高性能贏得了市場,但受到scaling stop的限制。

快閃記憶體技術經歷了快速發展。

自1984年東芝發明快閃記憶體單元器件以來,快閃記憶體技術經歷了快速發展,包括1988年intel首次介紹了256Kbit的NOR Flash,1989年東芝首次介紹NAND Flash,2012年三星首次介紹24層3D NAND Flash,2016年東芝/閃迪、美光、intel、SK海力士都量產了3D NAND。

NAND和NOR Flash的對比。

NAND Falsh一般以存儲數據為主,晶片容量大,讀取時一次性讀取一塊較慢,價格較為低廉。

NOR Flash一般存儲程序代碼,MCU可以直接讀取,但晶片容量較小,與NAND比較讀數據較快寫數據較慢。

新興的存儲器滲透入長期存在的存儲層次結構中,降低「存儲牆」限制。

新興存儲技術允許非易失性,字節寫入,低延遲性能,更接近cpu。

一旦通過軟體架構優化充分利用新興存儲器的潛力,系統性能和功耗會受到極大的益處。

新興非易失性存儲器曙光越來越近。

如TSMC 22nm、Samsung 28nm FDSOI、Intel 22nm FinFet和GlobalFoundries 22nm的MRAM;TSMC 40nm、22nm和UMC 40nm的RRAM;Intel和Micron的3D XPoint/PCRAM技術。

中國大陸NOR Flash市場格外繁榮。

NOR Flash是目前中國大陸唯一的主流存儲產品,擁有健康且不斷增長的供應鏈和市場。

NOR Flash市場已成為長尾市場,2018年穩定至25億美元。

因此,大型晶圓廠供應商專注於更大的市場營銷,如DRAM和NAND。

NOR Flash已經達到55/ 45nm的技術擴展壁壘。

有限可擴展的內部高壓操作和成本疊加使得NOR Flash難以進一步降低成本或提高密度。

因此,雖然早期的領導者將注意力轉移到了別處,但來自中國的新供應商會抓住機會趁勢趕上。

越來越多的NOR Flash中國供應商湧現。

中國大陸和台灣NOR Flash供應商由2007年的8%,提升至2017年的60%。

公司成為中國大陸NOR Flash的最大供應商,且具有一定的國際地位。

NOR Flash是目前中國大陸供應商自行提供的唯一主流存儲器。

公司在中國大陸NOR Flash供應商中建立了領導地位。

此外2017年在Serial NOR Flash全球市場份額中,公司占據14%,同年在Flash memory全球供應商市場份額中,公司排名第10。

數據存儲市場應用不斷增長。

在IOT/模塊以及自動化中,存儲市場應用呈現不斷增長的趨勢,但存儲器要求向low size、power、pin out、cost及high performance/reliability、long product lifecycle和octal SPI/DDR方向發展。

系統數據存儲在每個電子系統中都是必不可少的,無論是使用獨立晶片還是嵌入邏輯晶片。

幾十年來,各種存儲技術和產品已成為領先的解決方案。

它的發展是為了滿足當時關鍵應用驅動的成本,密度,性能,技術擴展和供應可用性的整體平衡。

Serial NOR Flash是當今代碼存儲的事實標準,更多的中國供應商蓬勃發展並占據市場份額。

隨著NOR Flash縮放的減緩,新興的存儲技術可能終於看見了屬於它們時代的曙光。

4、半導體設備: 國之重器

3月20日,盛美半導體舉辦新品發布會,推出前道Ultra ECP(鍍銅)、Ultra SFP(無應力拋銅)、Ultra Tahoe(濃硫酸單片清洗)設備,顯著提升生產效率,降低生產成本,提升良率,新增合計拓寬市場10億美金+。

【產品一】局部電鍍設備:Ultra ECP map


技術核心點:該項局部電鍍技術,第一個電極代表是一個墊片,四個電極依次打開,好處就是單一電極輪流打開,保證電流鍍只在局部發生。

利用盛美獨家專利——局部電鍍,就能做出很薄的籽晶層,在進行電鍍之前我們要用PVD先濺射一層銅的籽晶層,完成後再上面進行電鍍。

目前孔徑已經是納米級別,將越來越小,所以電鍍層不能太厚否則將會將孔封死無法進行填充。

因為很薄,所以電流比較大,可以用局部電鍍來解決。

該項技術工藝先進,優越性大,可以很好的控制電流,可以保證均勻的電流可以用在40納米、28納米、14nm以及更加先進的製程中。

未來我們的設計進入市場之後,將使得市場更具有一定的競爭性。

【產品二】拋光設備:Ultra SFP 365 Tool

拋光設備的總市場規模較小現階段約為2億美金,但是技術含量非常高,所以未來市場將逐步增長。

隨著AI晶片的發展, AI晶片封裝的難度將越來越大,技術難點在於多管腳化,保證cpu和memory之間的良好連接進行數據交換十分重要,目前市場中的3D TSV技術在散熱性方面仍然存在一些問題,我們的新設備可以應用於2.5D。

圖中所示的鍍層只有一層,但是實際一般是多層的。

在不同層之間需要用銅線進行互連,首先需要做好溝道,然後再將銅電鍍進去,鍍完之後需要進行拋光,拋光過程至關重要,目前所用的機械化學研磨(CMP)所用的拋光粉成本較高,拋光5微米厚度的鍍層需要花費約20美金。

我們的新產品是使用電拋光,電拋光的化學液可以重複使用。

在電拋光設備運行時,矽片將反轉(加反向電流轉動),旁邊裝置頭將液體(磷酸)噴上來,然後利用電拋光拋去多餘的銅。

使用完畢後,電拋光液流回之後可以進行重複使用。

新產品的拋光液成本是CMP技術的十分之一。

該項技術是盛美半導體的獨家核心專利。

在實際的使用過程中,工藝分為三步:先使用電拋光技術完成95%左右的銅拋光量,剩下的部分再利用CMP技術,除了多餘的銅鍍層之外,還要利用濕法刻蝕去除阻擋層。

實際應用中成本將減少至少80%,成本約為2-3美金。

該設備以後可以利用到先進封裝技術中,公司將在兩到三個月之後向客戶供貨。

【產品三】清洗設備:Ulta C Tahoe

這款設備的突出特點是:節省化學液更加環保。

在半導體工藝的清洗過程中所用的高溫硫酸(具有碳化效應,溫度大概為140或者150度以上),這一過程暫時還沒有辦法取代,到目前為止一直用了二三十年,它最大的壞處是難處理高污染。

早期槽式清洗機利用用高溫硫酸清洗,但是在50nm以下製程清洗效率和質量都不高,所以逐漸被淘汰。

現階段28nm製程以下一般採用單片清洗,在實際清洗過程中當高溫的硫酸往下噴時,5%的硫酸是和矽片接觸,剩下95%並沒有起到化學作用,只起傳遞熱量的作用熱量,因此硫酸消耗巨大(光上海地區硫酸使用量是一年是6萬噸)

盛美的新設備可以將把硫酸量使用量降低十倍,先利用槽式清洗機(類似洗碗機原理),初步用硫酸進行清洗(未徹底清洗乾淨),拿出來以後,放入另一邊的單片器中,加入鹼和HF,就可以徹底清洗乾淨。

所以該新設備是一個合成機。

總之:盛美半導體的第三種新產品將bench和single的優勢相結合,可減少90%的硫酸,只需要10%的硫酸用量,估計每年硫酸費用可以節省1200萬美金,除了節省金錢,還可以有效減輕環境指標壓力,利用第三種產品新技術,可以實現30個fab廠每年生產100萬片wafer,而不再是上海地區環境指標限制的3個fab廠每年10萬片wafer,足足提高10倍。

第三種產品的主要應用就是在離子注入、刻蝕、CVD等之後的清洗, 這一塊也是其核心優點。

現在全球清洗市場約為30億美金,第三類產品占據20%,即6億美金市場,前面兩類產品市場分別各為2億美金,也就是說盛美半導體新產品占據的總市場高達10億美金。

5、半導體代工廠:引領中國製造新風潮

2019年3月20日,上海華虹(集團)有限公司黨委書記兼董事長張素心在SEMICON China2019的開幕主題演講中做了題為《開放 、創新、合作--中國的發展和全球業界的機會》的演講。

在演講中,張素心董事長認為,全球電子信息產業轉移有四大階段,第一階段是在1950年代-1960年代,美國向日本、聯邦德國等轉移;第二階段是1970年代-1980年代,日本、德國等向亞洲四小龍轉移,其中韓國有以三星為代表的全產業鏈,台灣則主要是代工,包括晶圓代工、封測代工和EMS;第三階段是1990年代-20世紀初,亞洲四小龍向中國大陸轉移,主要模式就是代工+品牌;第四階段是在2010以後,進入向中國大陸產業轉移的第二階段,轉移的產業由整機組裝向晶片、信息裝備等核心部件轉變。

張素心董事長強調,電子信息產業既是集成電路市場需求的來源,又是集成電路技術進步直接推動的結果。

摩爾定律推動工藝技術進步的三大目標:低功耗、高性能、小尺寸。

集成電路是電子信息產業變遷的支撐和核心,電子信息產業每一個發展階段,都是以10倍於前階段的數量增長,進入移動互聯時代,終端數量已達到了百億級。

在PC時代,英特爾X86架構的晶片是推動PC技術不斷發展的核心驅動力;到移動互聯時代,高通、蘋果等基於ARM架構的晶片推動了移動智能產品更加快速、便攜和節能;而到了物聯網和人工智慧時期,專用晶片、GPU等晶片仍然是電子信息產業發展的核心支撐。

同時,集成電路在電子產業中的比例持續增加。

根據ICInsights的數據,集成電路不僅在電子行業中起核心驅動作用,收入的規模占比也越來越大,占電子行業總體收入的比例從1978年的5.2%,快速上升到1995年的23.1%,到2018年則達到了31.8%,接近於三分之一。

從代工製造來看,中國代工業是全球增長最快的區域,2018年增長41%,增長金額(增長31.18億美元)超過了全球代工業的漲幅(29.15億美元)。


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