超越SOI，Soitec將優化襯底技術向GaN、SiC擴展

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Soitec是全球優化襯底最大的製造商，憑藉其兩個核心技術-Smart Cut和Smart Stacking，Soitec為行業提供創新的材料及優化襯底設計，這些創新被用於加工電晶體，從而為智慧型手機、汽車、雲、物聯網等領域的終端產品帶來性能和功能的提升。

最近，第七屆SOI產業高峰論壇在上海召開，作為中國SOI生態圈的忠實夥伴，Soitec受邀參加並作了主題演講，介紹了FD-SOI技術在5G時代的發展。

同期，Soitec 全球策略執行副總裁 Thomas Piliszczuk 博士向行業媒體介紹了Soitec在矽基及第三代半導體材料的布局，超越SOI，Soitec正在將優化襯底技術向更多領域擴展。

其中，RF-SOI產品是Soitec的旗艦產品，由於它天生的絕緣性和信號完整性優勢，使得RF-SOI特別適合LTE和5G應用中。

RF-SOI主要用於手機的射頻前端模塊，提升通信功能。

，目前基本上所有的手機上都在使用RF-SOI，像調諧器、PA(功率放大器)、調諧器開關、LNA(低噪聲放大器)這些元器件都使用了Soitec的RF-SOI。

從3G、4G到5G，RF-SOI的使用範圍也越來越廣。

FD-SOI用於非常低功耗的模擬還有數字的計算，它可以為5G網絡應用帶來寬頻寬、 RF / 數字集成的優勢;為汽車應用帶來高可靠性、高壓電集成;為邊緣計算和AI帶來可重構高性能計算;為IoT應用帶來成本效率、高續航性;為手機應用帶來製造能力、低泄露(能源)的優勢，所以，FD-SOI的應用範圍很廣，從5G到汽車、物聯網，還有邊緣人工智慧等都是FD-SOI的應用場所。

Power-SOI主要用於需要非常大的穩定性的高功率器件，用於像汽車、工業生產等應用中。

Photonics-SOI用於數據中心光學數據的收發應用。

Imager-SOI用於像手機的面部識別等應用中的圖像傳感器產品。

除了上面這些矽基的SOI產品，Soitec正在將這種優化襯底技術擴展到更廣泛的應用領域，例如化合物半導體的氮化鎵、碳化矽等材料上。

壓電絕緣材料POI，這種襯底主要用於下一代的射頻濾波器。

隨著4G、5G到來，頻譜越來越密集，對濾波器的濾波功能提出更嚴格的要求，採用POI技術生產的濾波器可以滿足4G、5G時代對濾波器強大功能的要求。

氮化鎵材料由於天生的優勢，特別適合高頻率和高功耗的應用，例如：5G的基站等。

為此，早在2019年5月，Soitec就收購了領先的氮化鎵(GaN)外延矽片供應商——EpiGaN nv，將氮化鎵納入其優化襯底產品組合，通過此次收購，Soitec的產品可滲透到指向功率放大器(PA)的sub-6GHz基站市場。

碳化矽也是一個很有應用前景的化合物半導體，但它在生產上一直存在良率偏低的問題，Soitec目前正在著手解決這一問題，將創新的優化襯底技術引入碳化矽，幫助提升碳化矽的產量，降低成本。

另外，Soitec還在開發新的材料-矽基銦氮化鎵，它主要用於MicroLED產品中，據預測，這個新材料在未來幾年將會非常流行，用於生產高解析度、低功耗的顯示屏、顯示器，例如智能手錶、智慧型手機等。

根據Soitec的預測，從2019年到2024年，其在SOI產品上的增長率約為15-25%，非矽基的襯底產品如POI、EpiGaN等可服務市場將達5億美元，而將新型化合物半導體引入襯底技術將帶來更廣闊的市場機遇。

作者：王麗英