中國科學院院士王曦：感知信息技術提供彎道超車機遇

為貫徹落實習近平總書記4月19日在網絡安全與信息化工作座談會及10月9日在中央政治局第36次集體學習時重要講話精神，10月26日，由工業和信息化部電子信息司、中國科學院信息技術科學部主辦的「信息科技與經濟發展」技術科學論壇在北京成功舉辦。

會上，中國科學院院士王曦提出了一個觀點，他說，感知信息技術提供彎道超車機遇。

王曦表示，以移動網際網路、物聯網、雲計算、大數據、人工智慧等為代表的信息技術加速創新、融合和普及應用，一個萬物互聯智能化時代正在到來。

感知信息技術以傳感器為核心，結合射頻、功率、微處理器、微能源等技術，是未來實現萬物互聯的基礎性、決定性核心技術之一。

感知信息技術領域將催生出萬億級的市場，調研數據顯示，2020年全球物聯網設備市場預計將達到2200億美元，主要涉及消費電子、醫療、汽車、物流等產業。

物聯網的發展為傳感器帶來了新一波增長，傳感器也在汽車、智慧型手機以及物聯網中廣泛應用。

值得一提的是，感知信息技術不同於傳統的計算和通信技術，無需遵循投資巨大、風險極高、已接近物理極限的傳統半導體的「摩爾定律」，而是在成熟半導體工藝上的多元微技術融合創新，即「More than Moore」(「超越摩爾」)。

PC時期Wintel聯盟壟斷了整整二十年，移動網際網路時期ARM+安卓又形成了新一輪壟斷，那麼在感知時代，「超越摩爾」是我國打破壟斷束縛的難得歷史機遇，如果加大在此領域的扶持力度，充分發揮已有的半導體產業基礎和市場優勢，有很大可能在未來智能時代實現趕超發展，搶占產業競爭制高點。

因此，我們要重視發展感知信息技術，搶占未來智能時代制高點。

王曦認為，在物聯網時代，我國在半導體技術熱點中，有彎道超車的機會。

例如，與FinFET相比，FDSOI技術存在一定的優勢，其成本更低且能延長28nm技術節點的壽命，而且其低壓低功耗的特點使用於可穿戴、物聯網等新興領域，FDSOI技術我們應該足夠重視。

中國科學院上海微系統所及其孵化的企業在過去20多年裡一直推動FDSOI技術發展，積極從材料、製造、設計全方位探討我國發展12英寸FDSOI產業實現彎道超車的戰略計劃。

除了FDSOI以外，矽光子集成技術也具有很好的發展前景，我國已啟動了「矽光子行動計劃」。

另外，在先進存儲器技術方面，MRAM值得關注。

日本存儲界預計，MRAM在2020年將達到900億美元。

MRAM在物聯網終端產業中應用前景廣闊，因為其擁有非易失性、隨機存儲和邏輯兼容性等特點，通過簡化數據傳輸能夠大幅降低物聯網終端的功耗和尺寸，通過簡化系統，能夠大幅降低硬體和軟體的開發成本，將在智能家居、可穿戴式設備、醫療、娛樂、汽車等領域大有可為。

MRAM應該成為我國在常規存儲器規模化的基礎上，下一代先進存儲器的一個技術選項。