半導體資本支出 DRAM廠增幅最多

集成電路公司估計，半導體行業今年的資本支出預計將達到809億美元，創下20%的歷史新高，比預期的要好。

其中，DRAM領域資本支出增長率最高，年增長率高達53%。

IC Insight最初估計，半導體行業每年的資本支出為756億美元，同比增長12%，但由於內存行業擴大了生產和技術設備升級，使IC Insight今年提高了資本支出。

DRAM巨人海力士最近指出，一直無法單純依靠工藝升級來增加利潤，我們必須提高生產能力，因此加碼今年的資本支出預算。

IC洞察稱，儘管DRAM資本支出在今年半導體行業成長成為王者，但快閃記憶體領域被打開，今年快閃記憶體行業估計將投入190億美元的資本支出，比DRAM產業高出130億美元。

快閃記憶體行業進入資本支出，原因無非是研發3D、NAND、快閃記憶體的過程，內存領導三星今年六月生產的澤澤工廠就是其中之一。

然而，IC Insight還警告說，歷史經驗的觀察，全球NAND快閃記憶體製造商瘋狂投資的資本支出可能會導致產能過剩，導致價格暴跌，從目前的情況看來，三星、SK、英特爾、東芝、海力士、美光、武漢新芯拉3D NAND的生產能力計劃未來幾年，所以未來3D NAND市場可能出現的風險價格走跌。

至於鑄造業仍是半導體產業的資本支出冠軍，IC的估計估計，鑄造業今年將投資228億美元，每年增加4%，占所有地區比例的28%。

新工廠5納米主導晶圓廠TSMC將於本月初在南方，總投資額將達到2000億元。

法律人士表示，半導體產業的不斷擴大，對製造商的前景繁榮樂觀的代表，其中DRAM產業增長最為迅速，雖然IC Insight認為積極擴張將導致價格下降，但目前的情況看來，網絡，內存需求上升，汽車服務，所以價格全面衰退還是個未知數。