國產存儲晶片小步快跑，2018年就能量產48層堆棧3D NAND快閃記憶體

中國發展自己的半導體產業已經不是秘密，中央及地方政府為了扶植國產公司，不惜投入巨資建設晶圓廠。

除了外來的Intel、三星之外，新芯科技（XMC）已經在武漢開工建設12寸晶圓廠，計劃耗資240億美元，主要生產存儲晶片，初期是NAND及3D NAND快閃記憶體。

雖然三星、東芝等公司在3D快閃記憶體上已經領跑，但國內公司追趕的很快，預計2018年就能量產48層堆棧的3D快閃記憶體。

大陸已有或在建的存儲晶片廠分布圖

在眾多已經或者即將上馬的存儲晶片廠中，武漢新芯主導的建廠計劃是國家級項目，他們爭取做國內最大、最先進的存儲晶片公司。

國內發展半導體技術不缺錢也不缺市場，但技術和人才還需要積累，新芯科技的NAND技術來源是飛索半導體（Spansion），雙方幾年前就開始合作了，新芯科技因此掌握了製造2D NAND快閃記憶體的浮柵極及製造3D NAND快閃記憶體的CTF技術。

現在的問題是，新芯科技的技術水平到底如何？此前有消息稱新芯與飛索實驗室研發的3D NAND快閃記憶體只是10層堆棧的，因此很多業界分析師並不好看新芯科技的前景，認為三星、東芝研發3D NAND已經10多年了，中國公司要開發3D NAND快閃記憶體面臨很多困難。

當然，有不看好的就有看好的，巴倫周刊日前發文稱武漢新芯科技已經得到了飛索公司的技術授權，預計2017年會認證48層堆棧的3D NAND快閃記憶體，2018年正式量產。

48層堆棧是什麼概念？此前小編在3D NAND快閃記憶體是什麼的超能課堂中統計過三星、東芝及Intel公司的3D NAND快閃記憶體技術，其中三星今年量產的第三代V-NAND快閃記憶體就是48層堆棧的，東芝、SK Hynix最新的3D NAND也是48層堆棧的，不過要等到今年才能量產。

換句話說，如果新芯科技真的能在2018年量產48層3D NAND快閃記憶體，那麼距離國際先進水平差的並不遠，大約落後一兩年的樣子，這已經很不錯了。

當然，2年後三星、東芝的3D NAND快閃記憶體及技術也會繼續升級，技術實力最強的三星已經在研發64層甚至96層堆棧的3D NAND快閃記憶體了，只不過3D NAND也不可能是無限堆棧的，96層堆棧在製造上也面臨很多難題，能不能在2018年推出還是個未知數，中國公司在這一領域依然有機會追趕。