長江存儲還將研發國產DRAM內存，直奔20/18nm工藝

紫光旗下的長江存儲科技已經研發出了國產32層堆棧的3D NAND快閃記憶體，預計2018-2019年間量產，2020年技術上有望趕超國際先進水平。

解決了NAND晶片之後，長江存儲下一步就要積極進軍DRAM內存領域了，1月份開始擔任長江存儲執行副董的高啟全日前對外表示長江存儲已經組建了500多人的研發隊伍，正在研發自己的DRAM製造技術，報導還稱國產DRAM很有可能直接進入20/18nm先進工藝時代。

高啟全被稱為台灣存儲晶片之父，他之前擔任過台灣知名DRAM晶片公司華亞科董事長及南亞總裁，去年被求賢若渴的紫光公司挖走擔任全球副總，主管紫光旗下的存儲晶片業務，今年1月份又擔任了長江存儲科技的執行副董，研發中國國產DRAM的消息就是他對外公布的。

根據Digitimes報導，長江存儲已經組建了500多人的研發隊伍，正在開發自己的DRAM製造技術。

至於國產DRAM內存到底是什麼技術水平，原文報導稱很可能直接進入20/18nm工藝——如果是真的，那麼這個技術水平確實很先進了，雖然三星兩年前就量產20nm工藝了，不過美光、SK Hynix公司今年才會完成製程轉換，而18nm目前就只有三星一家大規模量產，其他兩家還在準備中。

除了自己研發之外，長江存儲也歡迎國際合作，高啟全稱長江存儲對與美光合作依然感興趣，這會是雙贏合作。

長江存儲將是美光最佳合作夥伴，與長江存儲合作將進一步擴大美光與韓國公司的競爭力——美光公司最早就是紫光公司在存儲晶片領域的合作目標，但限於美國的政策，紫光不論是收購股份還是雙方投資合作都存在不確定性，現在來看紫光對美光的合作一直感興趣，可惜美光方面是沒法輕易接牌的。

根據高啟全所說，長江存儲2017年內將會出樣32層堆棧的3D NAND快閃記憶體，此外還在開發更先進的64層堆棧產品，他指出NAND方面長江存儲只比主要NAND供應商落後一代技術。

長江存儲將在中國武漢、南京建設兩座晶圓廠，每家晶圓廠的產能都達到了每月30萬片12英寸晶圓。

高啟全指出在技術成熟之前長江存儲科技研發的產品並不會進入生產階段，而且長江存儲無意破壞存儲市場的價格——也就是說長江存儲不打算走中國廠商的老路，那就是通過價格戰去搶占市場。

清華紫光持有長江存儲科技51%的股份，其他股份在中國大基金、湖北集成電路投資基金及湖北科技投資基金手裡。