2017年中國將推自主生產3D NAND快閃記憶體，32層堆棧

由於智慧型手機、SSD市場需求強烈，快閃記憶體、內存等存儲晶片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲晶片市場的機遇。

在中國發展半導體產業的規劃中，存儲晶片是最優先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲晶片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND快閃記憶體，而且是32層堆棧的，起點不算低。

2015年中，國家級存儲晶片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預計投資240億美元，分為三期建設，現在啟動的是第一期，主要目標是生產3D NAND快閃記憶體，2018年將啟動第二期建設，規劃是上DRAM內存晶片，2019年啟動第三期建設，主要目標是代工服務，產能也會越來越大，2020年目標是30萬片晶圓/月，2030年則是100萬片晶圓/月。

今年7月份的時候，紫光公司收購了新芯科技公司多數股份，成立了武漢長江存儲科技有限公司（簡稱TRST），紫光公司控股一半多，董事長趙偉國也將擔任長江科技公司的董事長，這個項目就變成了紫光公司主導了——當初收購美光的夢想無法實現，收購西數硬碟的事也黃了，不過紫光現在總算可以正式進軍存儲晶片領域了。

Digitimes援引業界消息稱，長江存儲公司最快2017年底正式推出3D NAND快閃記憶體，32層堆棧結構，也就是說明年我們就有可能看到真正國產的快閃記憶體晶片了。

新芯科技現在主要生產NOR快閃記憶體，而NAND快閃記憶體比NOR快閃記憶體技術難度要高，他們的技術來源是飛索半導體（Spansion）公司。

考慮到與三星、Hynix、東芝、美光、Intel等公司的技術差距，國產3D NAND快閃記憶體32層堆棧的起點不低了，這幾家公司研發多年，第一代3D快閃記憶體也不過是24層堆棧，32層堆棧的還算是主流，不過等到明年的時候，48層甚至64層堆棧的3D快閃記憶體恐怕也早就問世了。

根據之前的報導，新芯科技預計2018年推出48層堆棧的3D快閃記憶體，那時候雖然還是追不上最頂級的水平，不過差距應該會縮小很多，國產3D快閃記憶體還有追趕的機會。

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