3D NAND市場持續看俏 三星、SK海力士擴大投資

半導體業界普遍認為，3D NAND Flash市場開始迎接景氣回春，榮景可望持續到2017年，3D NAND Flash也將成為整個內存市場的領頭羊。

三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)兩大韓廠已開始在相關領域進行大規模投資，以便搶得市場先機。

據朝鮮日報報導，儘管個人計算機(PC)市場需求持續衰退，對DRAM的需求也逐漸萎縮，但半導體業者對3D NAND Flash的市場景氣卻普遍表示樂觀。

受惠於固態硬碟(SSD)、伺服器、智能型手機市場擴大，3D NAND Flash的需求不但快速成長，也為業者帶來豐厚利潤。

三星電子在2013年首先推出3D NAND Flash技術，以垂直堆棧方式取代原本的平面電路，開發出比平面NAND Flash寫入速度增加1倍，電力耗損降低40%，且產品壽命增加10倍的產品。

市調業者DRAM eXchange預估，2016年第4季嵌入式多晶片封裝(eMCP)的平均售價可望比第3季上升10~15%；嵌入式多媒體卡(eMMC)的平均售價將延續先前趨勢持續上升。

韓國業界表示，3D NAND Flash的需求呈現激增走勢，2016年下半開始，以伺服器、固態硬碟為主的市場需求持續擴大，加上其他科技產品陸續推出，帶動內存價格上漲。

原本市場上已有三星、SK海力士、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等4家業者激烈競爭，英特爾(Intel)及大陸業者也決定加入戰場，使得三星與SK海力士必須進行大規模投資，以確保競爭優勢。

以三星來說，2015年正式啟動3D NAND Flash投資，並且持續擴大產量；預定2017年完工的平澤半導體廠傳聞已將第一階段生產品項定為3D NAND Flash。

三星此舉不外乎是為了提升用於固態硬碟的3D NAND Flash技術，進一步取得市場主導權。

業界知情人士表示，雖然不能完全確定三星平澤工廠的生產項目，但因應市場需求生產NAND Flash的可能性很高；三星大規模投資3D NAND Flash應是為了在激烈的市場競爭中取得先占優勢。

SK海力士目前在3D NAND Flash市場排名第四，2016年第2季持續提高出貨量，NAND Flash市占率達到10.3%。

SK海力士計劃在2016年底前完成開發48層3D NAND Flash，目標2017年將3D NAND Flash的生產比重提高到50%以上。

業界表示，包含SK海力士在內，東芝、美光等全球競爭業者在2017年會加速投資3D NAND Flash；NAND Flash的市場將維持穩定供需，對業者而言2017年應該會是市場景氣良好的一年。

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