中國晶片欲打破國外巨頭的壟斷

中興事件的爆發就像一把利刃剜出中國晶片產業的短板，巨石砸向深潭激起的漣漪正一波一波地向外擴散。

晶片產業從來沒有像今天這樣，受到媒體、公眾甚至國家高層如此迫切的重視。

當今世界，先進半導體晶片業務主要是由英特爾、三星、高通等行業巨頭壟斷。

我國的半導體製造暫時處於落後狀態，因為我國還缺少比較先進的半導體晶片製造商。

現實總是如此殘酷，在這一關係國家經濟命脈的高科技產業，中國依舊沒有什麼話語權。

2017年，中國集成電路進口額達到了2601.4億美元，同比增長14.6%。

有分析資料顯示，在存儲晶片、伺服器、個人電腦、可編程邏輯設備等領域，中國晶片占有率竟然為0。

但是，我國在半導體晶片設計領域還是表現比較好的。

比如，在去年的《全球十大晶片設計排行榜》上，就出現了我國的半導體晶片企業。

它們分別是紫光和華為海思。

由於技術門檻高、投資規模巨大、高端人才稀缺，作為尖端產業，中國集成電路企業與世界巨頭相比還有相當大的差距。

不過變化正在發生，中興事件的警鐘下，政策層面已經開始落實，各地方政府及社會資本也在積極推進，中國半導體產業迎來了爆髮式發展的前夜。

一批優秀的半導體企業脫穎而出，IC設計、晶圓代工、封裝測試、半導體材料、半導體專用設備等細分領域湧現出領頭企業，部分企業甚至成為細分領域的世界翹楚。

這些企業代表了中國集成電路產業崛起的雄心。

特別值得說明的是，紫光通過不斷努力，已經在今年推出了我國首款商用國產CPU晶片，我國對其具有自主產權。

同時，紫光也首次推出了SC9863人工智慧晶片平台，為實現全面進入5G時代奠定了基礎。

與此同時，以大基金為代表的政府引導基金不斷湧現，社會資本不斷湧入，一些優秀的投資人正通過資本力量為中國晶片產業注入一股新鮮血液。

在全球半導體產業進入巨頭壟斷，垂直整合不斷頻現的時期，中國半導體企業如何走出自己的道路？在各國政府對中資企業實施技術封鎖的時刻，中國企業如何自主創新？面對超高規模的資本投入，半導體企業如何有效結合資本手段，推動產業發展？

在中國半導體崛起的背景下，《英才》雜誌重磅推出專題策劃，梳理中國IC設計、晶圓代工、封裝測試、半導體設備、材料產業鏈優秀企業，把脈產業發展趨勢，挖掘其中的投資機遇。

紫光為自己制定了《5G晶片全球領先戰略》。

紫光通過與英特爾、華為、中國移動等巨頭合作，計劃在今年推出我國首款5G晶片，並打算在明年下半年搭建起首個商用5G手機平台。

如果這兩個計劃都實現的話，那麼我們距離5G時代也就越來越近了。

存儲晶片 零的突破

在主流存儲晶片領域，中國仍然是一片空白，這一形容前面不用「基本」二字做掩飾。

全球DRAM、NAND存儲晶片基本由美日韓企業壟斷，三星、SK海力士、美光、東芝等巨頭順勢賺得盆滿缽滿。

目前，在存儲晶片領域，中國企業開始後起發力，形成三足鼎立的局面——投入NAND Flash市場的長江存儲、專注於移動存儲晶片DRAM的合肥長鑫以及致力於普通存儲晶片的晉華。

紫光為自己制定了《5G晶片全球領先戰略》。

紫光通過與英特爾、華為、中國移動等巨頭合作，計劃在今年推出我國首款5G晶片，並打算在明年下半年搭建起首個商用5G手機平台。

如果這兩個計劃都實現的話，那麼我們距離5G時代也就越來越近了。

長江存儲

從無到有，長江存儲是中國第一艘衝破國際巨頭壟斷的存儲基地，堪稱中國集成電路產業向空白地帶探索的一艘航空母艦。

2016年7月，由紫光集團、國家集成電路產業投資基金、湖北省集成電路產業投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎上組建長江存儲。

其中紫光集團出資197億元，占股51.04%，從而對長江存儲形成控股。

「長江存儲是中國科技領域的遼寧號航空母艦。

」紫光集團董事長趙偉國曾向《英才》記者強調，「從其投資規模、技術水平、對國家產業安全和國家信息安全的意義看，這一比喻並不為過。

通過長江存儲這個項目，中國集成電路產業才真正在世界上有了一定的地位。

」

據統計，長江存儲總投資將超過240億美元。

這也是紫光集團目前為止最大的投資項目之一。

總投資達到近90億美金的無錫海力士工廠可不是第一次著火了，而且它的每一次起火都是戲劇性的，很多網友稱其為「自編、自導、自演。

」世界上三大晶片廠商，三星、海力士和鎂光，三家內存廠商的命運如此的「波折」，首先要說的就是海力士，也就是我們以前說的「現代」。

命運是如此的起起伏伏。

2013年發生工廠起火事件，同樣導致晶圓體受損，又一次造成停產，隨後三星、鎂光也相繼暫停報價，同時暫停向市場供貨，最終造成DRAM市場現貨價格一路飆升，內存市場DDR3代8G 內存從近200元的售價提高到600多元，最終導致市場很長時間價格居高不下，三大晶片巨頭賺的盆滿缽滿，同時在事件發生後，保險公司賠償給海力士9個億美金的賠款，這也是國內近年來最大的一筆理賠案件。

「紫光未來十年在晶片製造產業上投資1000億美元是一個基本數字，相當於平均每年投入100億美元。

Intel、台積電、三星每年在晶片製造上的資本開支都超過100億美元，達不到平均每年100億美元的投資規模，根本就進入不了晶片製造的第一陣營。

」正如趙偉國所說，持續投入是繞不過的門檻。

2016年12月，以長江存儲為主體的國家存儲器基地正式開工建設，其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大樓和其他若干配套建築，預計項目建成後總產能將達到30萬片/月，年產值將超過100億美元。

長江存儲以武漢新芯現有的12英寸先進集成電路技術研發與生產製造能力為基礎，採取自主研發與國際合作雙輪驅動的方式，已於2017年研製成功了中國第一顆3D NAND快閃記憶體晶片，填補了國內空白，并力爭成為世界一流的3D NAND快閃記憶體產品供應商。

未來這些產品將廣泛應用在移動通信，計算機、數據中心和消費電子等領域。

在存儲晶片領域，DRAM和NAND是最為重要的兩種類型，均呈現寡頭壟斷的情況。

DRAM市場93%以上份額由三星、SK海力士和美光科技三家占據；而NAND Flash市場幾乎全部被三星、SK海力士、東芝、閃迪、美光和英特爾六家瓜分。

「在長江存儲項目之前，對於中國企業來說，不是縮短差距的問題，因為原來的基礎是零，所以在長江存儲之前和國際晶片製造巨頭的距離是無限遠。

」趙偉國曾對《英才》記者表示，到2019年，將把紫光與三星、SK海力士的技術差距縮短1-2年左右，利用十年時間拉平與三星的鴻溝。

目前，長江存儲科已經打造成為集晶片設計、工藝研發、晶圓生產與測試、銷售服務於一體的半導體存儲器企業。

全球來看，擁有晶片全產業鏈能力的企業屈指可數，僅有三星、英特爾、德州儀器等具備貫穿前段的設計，中段的製造和封測，再到後段的市場銷售。

相對於IC設計企業（Fabless）、代工企業（Foundry），創建這類IDM公司需要高額的資金成本，以及對整個產業鏈市場需求的準確把握。

從這一角度看，長江存儲為我國晶片產業做出了表率，趟出了一條新的道路。

則其他兩個廠商在看到海力士這種「玩法」之後，也開始效法，比如DRAM晶片生產過程中突然斷電，導致晶片損失嚴重，還有就是製造工藝出現問題，所以市場的晶片供不應求，還有就是三家廠商認為做內存晶片的利潤「特別低」，轉投到NAND晶片領域，同樣導致晶片再次斷貨。