CN102034690A - 电子封装预处理方法

本发明涉及一种电子封装预处理方法，包括如下步骤：(1)检验晶圆进料后黏晶圆；(2)使用电浆清洗设备清洗所述的晶圆；(3)电浆清洗后切割所述的晶圆。

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本发明涉及一种电子封装预处理方法，包括如下步骤：(1)检验晶圆进料后黏晶圆；(2)使用电浆清洗设备清洗所述的晶圆；(3)电浆清洗后切割所述的晶圆。

由于本发明在切割晶圆前采用电浆清洗设备清洗晶圆，提高了清洗效率，进而提高了封装产能；同时，清洗效果佳，提高了封装材料的附着力，封装产品几乎不会出现脱层现象。

Description 电子封装预处理方法技术领域[0001] 本发明涉及一种电子封装预处理方法。

背景技术[0002] 现有的电子封装工艺中，常用的芯片级封装是将晶圆切割后一一进行封装，由于芯片表面洁净度较差，使切割后续的封装过程中封装材料的附着力受到影响，封装后的产品容易出现表面脱层，可靠性较低。

尤其在无铅产品中，这种现象更为明显。

因此需对其进行清洗以提高芯片表面的洁净度，进一步提高封装材料的附着力，提高产品质量。

但由于清洗设备的限制，影响了清洗的效率，即影响了封装的效率，降低了产能。

发明内容[0003] 本发明的目的是提供一种产能较高的电子封装的预处理方法。

[0004] 为达到上述目的，本发明采用的技术方案如下。

[0005] 一种电子封装预处理方法，包括如下步骤：(1)检验晶圆进料后黏晶圆；(2)使用电浆清洗设备清洗所述的晶圆；(3)电浆清洗后切割所述的晶圆。

[0006] 优选的，所述的步骤（2)中，所述的电浆清洗设备使用的气体为氧气、氩气、氧气和氩气的混合气体中的一种。

[0007] 优选的，所述的步骤（2)中，所述的电浆清洗设备采用化学方法清洗所述的晶圆。

[0008] 由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：1、由于本发明在切割晶圆前采用电浆清洗设备清洗晶圆，提高了清洗效率，进而提高了封装产能。

2、由于本发明采用电浆清洗晶圆，清洗效果佳，提高了封装材料的附着力，封装产品几乎不会出现脱层现象。

附图说明[0009] 附图1为本发明的实施例一的流程图。

具体实施方式[0010] 下面结合附图所示的实施例对本发明作进一步描述。

[0011] 实施例一：参见附图1所示。

[0012] 一种电子封装预处理方法，包括如下步骤：(1)检验晶圆进料后黏晶圆；(2)使用电浆清洗设备采用化学方法清洗晶圆，在清洗的过程中，电浆清洗设备使用的气体为氧气、氩气、氧气和氩气的混合气体中的一种；(3)电浆清洗后切割晶圆。

[0013] 在完成上述预处理步骤后，将切割后的晶圆进行封装，得到封装产品。

[0014] 由于在晶圆的切割步骤之前采用电浆清洗晶圆，提高了清洗效率，进一步提高了产能，同时，经清洗的晶圆表面洁净度得到提高，使封装时封装材料的附着力得到提高，封装后的产品经测试不易出现脱层现象，稳定性得到提升。

[0015] 上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。

凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims(3) 1. 一种电子封装预处理方法，其特征在于：所述的电子封装预处理方法包括如下步骤：(1)检验晶圆进料后黏晶圆；(2)使用电浆清洗设备清洗所述的晶圆；(3)电浆清洗后切割所述的晶圆。

2.根据权利要求1所述的电子封装预处理方法，其特征在于：所述的步骤（2)中，所述的电浆清洗设备使用的气体为氧气、氩气、氧气和氩气的混合气体中的一种。

3.根据权利要求1中所述的电子封装预处理方法，其特征在于：所述的步骤（2)中，所述的电浆清洗设备采用化学方法清洗所述的晶圆。

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