可變電阻式隨機存取記憶體（ReRAM） - 台灣富士通 - Fujitsu
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延伸文章資訊
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Resistive random-access memory (ReRAM) is based on a simple three-layer structure of a top electr...
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声明：本文涉及所有内容均来自Shimeng Yu的Resistive Random Access Memory（RRAM）: From Devices to Array Architecture...
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此款全球最高密度的ReRAM量產產品由富士通與松下電器半導體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(註2)合作開發，將於今年(2019) 9 ...
