各種新興記憶體比較 - DigiTimes

Resistive random-access memory (ReRAM) is based on a simple three-layer structure of a top electr...

声明：本文涉及所有内容均来自Shimeng Yu的Resistive Random Access Memory（RRAM）: From Devices to Array Architecture...

DRAM 和 NAND Flash 微縮製程逼近極限，業界認為次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體」（MRAM）、「可變電阻式記憶體」（ReRAM）可能即將現身，要 ...

ReRAM能夠模擬大腦為人工智慧(AI)應用創建神經網路，因此激發了人們對新興記憶體的濃厚興趣。Handy說：「實際上，人們討論神經圖(neural ...

可變電阻式記憶體（英語：Resistive random-access memory，縮寫為RRAM 或ReRAM），是一種新型的非揮發性記憶體，和另一種新型的磁阻式隨機存取記憶體 ...