電阻式記憶體技術RRAM - 工研院- YouTube
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工研院(ITRI)電阻式記憶體以金屬氧化物金屬專利結構有效應用在CMOS製程技術中，利用氧化鉿絕緣層搭 ... AboutPressCopyrightContactusCreatorAdvertiseDevelopersTermsPrivacyPolicy&SafetyHowYouTubeworksTestnewfeatures©2021GoogleLLC
延伸文章資訊
- 1可變電阻式記憶體- 维基百科，自由的百科全书
可變電阻式記憶體（英語：Resistive random-access memory，縮寫為RRAM 或ReRAM），是一種新型的非揮發性記憶體，和另一種新型的磁阻式隨機存取記憶體 ...
- 2政府研究資訊系統GRB
電阻式記憶體(resistive RAM, RRAM)因結構簡單、低成本及高速度等優點，已被 ... 近來電阻式隨機存取記憶體(Resistive random access memory，RR...
- 3氧化石墨烯電阻式記憶體之電性量測分析探討: 高低 ... - 逢甲大學
- 4博碩士論文行動網
其中電阻式記憶體(RRAM)具有結構簡單、寫入速度快、低操作電壓等優點，還 ... 特別選擇了可在後段製程和別的電路作整合的MIM結構RRAM，MIM RRAM可避開 ...
- 5國立交通大學機構典藏：前瞻新結構電阻式記憶體元件之製作( I )
電阻式記憶體(RRAM)為目前最具發展潛力的非揮發性記憶體，其擁有極低的操作電壓、極短的寫入抹除時間及高度的元件可微縮性，極有機會取代NAND Flash及 ...
