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發性記憶體的RRAM 能夠以奈秒(ns)的速度進. 行電阻 ... 目前RRAM 在材料選擇、​結構開發及實際 ... 表一電阻式記憶體(RRAM)與其他記憶體元件之基本特性比較圖.

法國研究機構CEA-Leti日前在IEDM 2020會議上發表兩篇論文，證明採用3D堆疊結構的可變電阻式記憶體(Resistive RAM, RRAM)，可為記憶體內 ...

電阻式記憶體(RRAM)為目前最具發展潛力的非揮發性記憶體，其擁有極低的操作電壓、極短的寫入抹除時間及高度的元件可微縮性，極有機會取代NAND Flash及 ...

電阻式記憶體(RRAM)結構為金屬-絕緣層-金屬(Metal-Insulator-Metal，. MIM)。​電阻絲理論(Filament theory)是其代表性機制，但除此之外尚無一套完. ...