日本半導體緣何能趕超美國？

中國半導體論壇 振興國產半導體產業！

二戰後日本半導體產業為何能迅速發展並趕超美國？

20世紀40—50年代電晶體和集成電路先後在美國誕生。

戰後日本半導體技術得以迅速發展，與20世紀50年代美國為應付蘇聯威脅的戰略需要，對日本半導體產業提供慷慨援助是分不開的，早期美國對日本「技術慷慨」的另一原因是當時美國根本沒把日本當作競爭對手。

例如在20世紀50—60年代，日本工程師被允許頻繁參加國際會議和訪問美國公司，能相對自由地接觸到美國半導體生產現場，而中國的半導體事業卻一直受到美國管控出口產品的阻礙。

與此同時，美蘇冷戰格局使日本得以趁美國忙於對蘇軍備競賽而疏於發展民生技術之際，成功地從美國持續引入先進技術，並憑藉開發眾多民生產品奪得了對美競爭優勢。

可以認為，處在戰後美蘇爭霸夾縫之中的日本是冷戰格局的最大受益者，冷戰格局下的日美同盟關係成為日本的巨大利益源泉。

但是，美國早期的「幫助」只能說是日本半導體產業迅速發展的「外因」，更值得關注的是促使日本半導體產業迅速發展乃至趕超美國的主要「內因」。

（一）國家扶持

半導體關係國家經濟的整體效益和國家安全，圍繞半導體技術和產業的競爭帶有國家間競爭的性質，因此國家強力干預本國（甚至外國）的半導體技術和產業發展成為普遍現象。

如前所述，在日美兩國的半導體產業發展過程中，「國家扶持」都起了十分重要的作用。

在美國，所謂「國家扶持」，主要體現在美國軍方如同抓洲際彈道飛彈等頂級戰略技術那樣狠抓半導體技術發展；

而在追趕美國先進技術的日本，「國家扶持」主要體現為通商產業省對民間企業引進和消化美國先進技術進行產業政策引導和扶持。

顯然，如果沒有日本政府相關部門的保護和扶持，即便作為美國同盟國的日本，其IC產業也會在發展初期遭到美國競爭對手的無情摧殘。

但必須強調的是，日本半導體產業發展最重要的推動力不在於「國家扶持」，而是日本半導體企業自己「爭氣」的結果。

（二）人的因素

與美國既依靠本國科技人才、又廣泛吸納包括中國在內的世界各國高科技人才的做法不同，日本半導體技術發展歸根到底是依靠本國科技工作者和民間企業付出艱苦卓絕努力的結果。

從1948年日本電子產業的先覺們組成「輪讀會」廢寢忘食地集體研讀英文資料、緊密跟蹤半導體理論和實踐的最新發展等事實可以看到，日本科技工作者對發展新技術有一股持久不懈的「著了迷」的勁兒。

日本有大批半導體科技工作者將半導體研發、設計與製造作為畢生為之奮鬥、體現人生價值的崇高事業，他們奉行「拜技主義」和「終身主義」（一輩子就幹這一件事），而不是「拜金主義」、機會主義（為了抓住個人掙大錢的機會而跳槽）。

在戰後，富於工匠精神的日本企業及其員工能數十年如一日地專注於某一技術領域苦心鑽研，富於團隊精神的工程師與車間工人經常一道追求技術革新、開展合理化建議活動，努力提高成品率（這是提高產品性價比和出口競爭力的關鍵），而富於敬業精神的企業經營者則善於通過管理將技術革新和合理化建議匯聚成集體智慧的結晶。

概言之，優秀的半導體科技工作者、素質良好的技能工人和出色的企業經營者，構成了日本迅速趕超美國先進技術所需的人才隊伍的「絕配」。

（三）構築完整的半導體產業鏈

為製造大規模乃至超大規模集成電路，需要包括晶片製造工藝及設備、原材料等在內的成百上千種技術，需要眾多不同專業的技術圍繞製造IC這個核心相互銜接和融合，構成高效的半導體全產業鏈。

戰後日本依靠長期推進工業化的雄厚技術積累，不僅迅速發展起屬於自己的IC生產基地，而且迅速扶持培育出「尼康」「佳能」等製造光刻機等IC生產設備的企業，以及「信越化學」等製造矽晶片等半導體材料的企業，從而形成了獨立自主、相互銜接的包括「材料—晶圓—設備—製造—封裝測試—應用」等環節的全產業鏈。

（四）善於運用市場競爭的推動力

由於大眾化消費品的市場競爭非常激烈，企業對新產品開發或質量管理稍有懈怠，就會被競爭對手甩在後面甚至被市場淘汰。

日本很善於通過開發利用電晶體和IC的大眾化消費品來促進半導體技術的發展。

在市場競爭壓力的推動下，日制半導體產品的質量和可靠性日益提高並達到優於美國的水平，不僅贏得了民生產品市場，還吸引了美國軍方從日本優秀的民用半導體產品中「選拔」軍用半導體產品。

在20世紀90年代初爆發的海灣戰爭中，美軍所使用的武器裝備上必不可少的IC晶片有80%是日本生產的。

這意味著，儘管日本主要依靠民生產品市場促進半導體產業發展，但80年代以後美國的軍事需求也有力地推動了日本晶片技術發展，而且日本國內對晶片技術的軍事需求也有所增長。

晶片技術的政治、戰略色彩日益濃厚。

當今的IC產業，是一個「超高技術、超高投資、高度風險、競爭激烈的產業」，是一個更新換代最快的產業，是難度超過「兩彈一星」、競爭異常激烈的產業，是一個對國家安全戰略極其重要的高科技產業。

從所有這些技術與產業構成的產業鏈整體來看，中國與美國等技術先進國家相比，估計晶片設計大約相差5—10年，晶片製造大約相差15—20年，晶片生產設備大約相差10—30年。

這種差距之所以存在，歸根到底在於中國依然是發展中國家，尚未完全實現工業化和現代化，而美國的核心技術優勢是以長期工業化積累和深厚現代化生態作為後盾的，是以其西方同盟體系中的日本、荷蘭等技術先進國的協助為條件的。

還有，美國等已開發國家在長期發展晶片技術過程中形成了保護智慧財產權的完整法律體系，不僅可用來保護自身智慧財產權，也可成為打擊對手的手段，對後來者的發展形成壁壘。

中興被美國制裁事件，激發了中國廣大民眾對半導體技術的關注，期待中國在半導體晶片等「核心技術」上取得突破。

探索日本半導體產業趕超美國並實現技術創新的歷程，吸取其中所蘊含的經驗、精神和教訓，或可能對我們思考如何加快中國的晶片技術發展有一定參考價值。

(作者: 中國社會科學院日本研究所研究員 馮昭奎)

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