格羅方德推7納米FinFET製程技術 首批產品明年亮相

【集成電路】格羅方德推7納米FinFET製程技術 首批產品明年亮相

格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)於昨(14)日宣布，推出7納米領先性能(7LP,7nm Leading-Performance)的FinFET製程技術，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、雲端伺服器網絡基礎設備等應用需求；設計軟體已就緒，使用7LP技術的首批產品預計2018年上半年推出，並將於2018年下半年進行量產。

此外，格羅方德亦宣布推出其使用7納米FinFET製程的FX-7TM ASIC(特殊應用集成電路)；FX-7是一個整合式設計平台，將先進的製程技術與差異化的智慧財產權和2.5D/3D封裝技術相結合，能為數據中心、機器學習、汽車、有線通信和5G無線應用提供業內最完整的解決方案。

格羅方德CMOS業務部資深副總裁Gregg Bartlett表示，公司的7納米FinFET製程技術正在按照計劃開發，預期在2018年計劃宣布的多樣化產品對客戶將有強大吸引力。

在推動7納米晶片於未來一年中實現量產的同時，格羅方德正在積極開發下一代5納米及其後續的技術，以確保客戶能走在最前端使用領先全球的技術。

據了解，格羅方德的7納米FinFET製程技術充分利用了其在14納米FinFET製程技術上的批量製造經驗，該技術於2016年初2月8日在Fab 8晶圓廠中開始生產。

自那時起，格羅方德已為廣大的客戶提供了「一次便成功」的設計。

為了加快7LP的量產進度，格羅方德表示，正在持續投資最新的研發設備能力，包括在今年下半年首次購入兩組極端紫外線(EUV)光刻工具。

7LP的初始量產提升將依賴傳統的光刻方式，當具備批量生產條件時，將逐步使用EUV光刻技術。

在7納米特殊應用集成電路(ASIC)平台方面，格羅方德指出，在FX-14的持續成功下，公司憑藉業內領先的56G SerDes技術和特殊專用集成電路專長，FX-7提供包括高速SerDes在的全方位定製化介面智慧財產權和差異化存儲解決方案，涵蓋低功耗SRAM、高性能嵌入式TCAM、整合式DACs/ADCs和ARM處理器，以及諸如2.5D/3D的先進封裝選擇。

此外，FX-7產品群組可適用於以超大型數據中心、5G網路、機器與深度學習應用為代表的低功耗和高性能應用，為其提供全新的設計方法和複雜的ASIC解決方案。

未來，FX-7有望被運用支持汽車ADAS及圖像應用的解決方案。

格羅方德ASIC業務部資深副總裁Mike Cadigan表示，隨著全球網絡中數據流量和頻寬的爆炸性增長，客戶不斷提出新的需求，而利用公司最先進的7LP FinFET製程技術，FX-7產品能為使用諸如數據中心、高度計算、無線網絡等新興領域的客戶，提供最先進的低功耗、高性能ASIC解決方案，進而不斷提升公司為客戶服務的領導者形象。

受惠格羅方德在矽晶片製造專長與IBM前半導體技術業務的有力結合，格羅方德的7納米FinFET製程技術展示了其先進科技和市場領導地位；TIRIAS Research創始人兼首席分析師Jim McGregor表示，透過格羅方德最新FX-7 ASIC產品，其已將業務版圖從傳統代工客戶拓展至新一代系統公司，這些公司正尋求將尖端晶片製程技術應用於從人工智慧的深度學習到下一代5G網絡等廣泛領域。

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