美光英特爾各行其道 3D Xpoint何去何從？

近期，美光正式宣布，對IM Flash Technologies，LLC（簡稱「IM Flash」） 中的權益行使認購期權。

IM Flash是美光與英特爾的合資公司，主推市場上的新型存儲晶片技術3D Xpoint。

目前，英特爾已經推出關於3D Xpoint存儲器的產品傲騰系列SSD，美光卻遲遲沒有產品正式推出。

作為新一代存儲技術的代表，3D Xpoint的未來會因為美光與英特爾的分手受到影響嗎？

美光英特爾分道揚鑣

美光科技官方表示，將從 2019 年 1 月 1 日起行使對合資公司IM Flash認購期權。

這筆交易將在美光科技執行認購期權後的 6～12個月之內完成。

美光科技總裁兼執行長 Sanjay Mehrotra認為，此次收購代表著美光對於3D XPoint 技術全方位的肯定。

「我們堅信3D XPoint技術和其他新興存儲技術將為公司提供獨一無二的差異化優勢，並為海量數據需求的新型應用提供不可或缺的重要解決方案。

」 Sanjay Mehrotra說。

IM Flash 合資公司目前已併入美光科技的財務報表中。

美光科技表示，該交易完結之時，美光科技預計將支付約15億美元現金，解除英特爾在IM Flash的非控股權益以及英特爾對該合資企業的債務。

截至2018年8月30日，這筆債務約為10億美元。

2018 年7月，美光科技和英特爾達成共識，預計於 2019 財年下半年，在完成第二代節點結束3D XPoint 技術的聯合開發工作之後，兩家公司將獨立推動自己的未來技術路線圖。

美光宣稱，將在這筆交易完成後的一年內向英特爾出售 3D XPoint 存儲晶片。

但是在舊金山Micron Insight 2018大會上，美光所有高管對第二代3D Xpoint細節都守口如瓶，只預計於2019年年底會有產品樣本。

3D Xpoint何方神聖？

3D XPoint最初由英特爾和美光共同推出，期望這項新技術可以完成RAM的動態速度，並且將成本控制在DRAM和NAND快閃記憶體之間，一方面可以在DRAM主存儲和NAND SSD之間提供新的存儲層，另一方面也可以提高計算機的性價比。

目前看來，作為一種非易失性內存，3D Xpoint與主流NAND Flash相比，讀寫速度相差1000倍，並且使用壽命更長。

與易失性內存DRAM相比，其製造成本少，因此被視為補足DRAM與NAND Flash差距的產品。

如此高的性能指數讓業內傳出了一種聲音，「3D Xpoint將有機會替代NAND Flash」。

到目前為止，3D Xpoint被英特爾包裝為「傲騰（Optane）」產品，並且在消費級和企業級市場擁有了一定聲量，英特爾承諾以DIMM格式發布3D XPoint內存，但目前尚未公開產品細節。

不過，英特爾透露，他們已經在2018年8月的快閃記憶體峰會上向谷歌提供這些DIMM。

美光也在Micron Insight 2018大會上表示，將於2019年末交付3D Xpoint產品給核心客戶測試，並於2020年量產。

那麼兩大風向標公司的行為又要如何解讀？

集邦諮詢半導體研究中心（DRAMeXchange）分析師葉茂盛告訴記者，雖然3D XPoint的速度以及性價比方面均具備一定的優勢，但是3D XPoint並不能夠輕易地取代NAND快閃記憶體或DRAM。

「3D XPoint和NAND Flash的應用場域仍有差距。

與DRAM相比，3D XPoint雖然可以滿足特定的條件，但是速度上仍遜於DRAM。

」葉茂盛說。

儘管3D XPoint可能會用於減少系統所需的DRAM數量以達到任何給定的性能水平，但是到目前為止，3D XPoint只能在PCIe非易失性存儲器快速（NVMe）接口中使用。

據了解，雖然NVMe是SSD所有接口中，讀取速度最快的接口之一，但是，相對於3D XPoint存儲的固有速度相比，它速度仍然較慢。

在分道揚鑣之前，英特爾與美光公司曾共同宣稱，3D XPoint的速度是NAND快閃記憶體的1000倍，但經過幾年市場的歷練，事實上，英特爾傲騰產品中固態硬碟的速度只有NAND快閃記憶體的六到八倍。

「平均單價差距太遠，NAND具有高度規模化以及單位容量便宜的優勢，這不是3D XPoint能夠在短期內追逐到的」葉茂盛說。

新型存儲技術處於發展初期

3D XPoint成為了下一代存儲技術中的代表，除此之外，相變存儲器（PCM）、鐵電存儲器（FeRAM）、磁阻RAM（MRAM）、電阻RAM（RRAM或 ReRAM）、自旋轉移力矩RAM（STT－RAM）、導電橋RAM（CBRAM）、氧化物電阻存儲器（OxRAM）等眾多新型存儲器技術或將在未來的存儲器市場割據。

諸多新興技術中，勢必有一些會離開舞台，也會有一些經過市場的檢驗，存留下來。

Rambus公司的傑出發明家和營銷方案副總裁Steven Woo表示，在傳統的存儲市場中，經典存儲架構中依舊會有需要填補的空白。

這就為新型存儲技術們提供了舞台。

但是在眾多的新型存儲技術中，可能會有一兩種生存下來，但是更多的可能被淘汰。

「可能是3D XPoint，英特爾和美光公司研發的PCM，或者ReRAM、MRAM，也可能是其他的存儲器。

關鍵問題是哪種會脫穎而出。

但這主要由在給定性能參數範圍內的數據輸入輸出確定。

」 Steven Woo說。

葉茂盛也表示，目前無法斷定哪種新型存儲器技術會存留下來。

「儘管3D XPoint完全不同於很多新型存儲技術，但是與3D XPoint同台競技的新一代存儲技術很多，包括ReRAM、MRAM、FRAM等，不過由於以上技術都仍在早期發展階段，所以對於下一代存儲技術的競爭，目前仍難以評斷技術的高下。

」葉茂盛說。

（顧鴻儒）

來源：中國電子報

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