ASML 20億美金入股卡爾蔡司,合作研發EUV光刻系統
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半導體製造工藝是集成電路產業的核心,未來摩爾定律是否還能主宰產業發展就得看半導體工藝是否能在10nm以下的工藝繼續突破了,而在這個問題上,荷蘭ASML公司的EUV光刻機何時成熟就是個關鍵了。
上周ASML公司宣布斥資20億美元入股卡爾蔡司公司,雙方將合作研發EUV光學系統, 只不過相關成品至少要到2024年才能問世。
ASML公布的工藝路線圖,EUV工藝將在7nm節點開始啟用
先說說ASML入股蔡司的——ASML公司將以現金11億美元收購卡爾蔡司SMT子公司24.9%的股份,此外還將投入大筆研發資金,首筆一次性投入是2.44億美元,之後6年將投入6億美元,這次合作預計投入將近20億美元,對ASML來說也是一大筆投入了。
雙方合作的成果就是將推出數值孔徑NA不低於0.5的EUV光刻系統,不過這款產品離問世還早,至少要到2024年才能量產。
當然,新一代光刻機的好處也很多,目前全球先進的半導體特徵尺寸約為35nm,第一代EUV光刻機數值孔徑是0.33,特徵尺寸縮小到了13nm,而0.5倍數值孔徑的EUV將把印刷尺寸進一步縮小到8nm。
光刻機是半導體生產設備中非常重要的一部分,EUV關乎未來半導體工藝的發展,而這個重擔落在了ASML公司身上,他們是全球最重要的光刻機廠商了,Intel、三星、TSMC等晶圓公司的光刻機都是購買自ASML公司。
ASML公司目前的EUV光刻機是NXE:3400B型號,預計明年出貨,產能是每小時125片晶圓,公差不大於3nm。
根據該公司公告,已經有四家邏輯晶片、兩家存儲晶片廠商預計會在2018年企業0.33孔徑的EUV系統。
未來的0.5倍孔徑EUV系統產能將提高到每小時185片晶圓面,公差進一步減少到2nm,而在此之前ASML希望能把產能提升到每小時145片晶圓。
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