合肥長鑫的DRAM項目投資超過72億美元,國產晶片仍有機會!

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目前,中國大陸的存儲產業仍處於剛剛起步階段。

雖然,紫光旗下的西安紫光國芯之前就有DDR3、DDR4內存顆粒生產,不過技術來源還是已經破產的奇夢達,並不能算是自主技術。

國內目前有三大存儲晶片基地,分別為福建晉華、合肥長鑫和長江存儲。

從產品定位上來看,福建晉華和合肥長鑫聚焦DRAM,而長江存儲則聚焦3D NAND,分工和目標都比較明晰,並且預計將在2019年實現產能集中釋放。

然而10月底美國商務部的一紙禁令,打亂了中國存儲產業國產化的節奏,福建晉華也是「命懸一線」!


國產存儲仍有一線生機


雖然所福建晉華被禁,但是從目前階段來看,合肥長鑫和長江存儲並沒有受到很大影響,存儲晶片國產化的進程也在逐步推進。

在DRAM存儲方面,合肥長鑫8Gb LPDDR4已經正式投片,而這也被認為是國產DRAM產業的一個里程碑。

據了解,合肥長鑫的DRAM項目投資超過72億美元(495億人民幣),項目建設三期工程,目前建設的是一期工程12英寸晶圓廠,建成後月產能為12.5萬片晶圓,這個產能將占到全球DRAM內存產能的8%。

按照進度規劃,合肥長鑫的一廠廠房已經於2018年1月建設完成,設備也開始安裝。

2018年年底推出8Gb DDR4工程樣品,2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,產能將達到2萬片一個月。

從2020年開始,公司則開始規劃二廠,2021年則完成17nn的研發。

此外,在3D NAND存儲方面。

繼32層3D NAND於2018年年底前投入量產之後,又有業界人士透露長江存儲Xtacking™架構的64層NAND樣品,已經送至合作夥伴進行測試,讀寫質量大致穩定,預計最快將在2019年第3季投產。

長江存儲更計劃在2020年跳過96層3D NAND,直接進入128層堆疊。

業界預計2020年推出的128層堆疊可直接與國際大廠展開競爭。


長江存儲CEO楊士寧博士曾在CFMS2018峰會上表示,長江存儲在NAND Flash上投入了很多研發和生產精力,3D NAND的研發也是建立在這個基礎之上,並於2015年和美國合作夥伴簽訂了聯合研發協議研發3D NAND晶片,而採用Xtacking™架構的64層3D NAND跟傳統架構的96層相比,容量僅低15%。

現在長江存儲64層3D NAND已經送樣,2019年第3季將可投產。

在產能方面,長江存儲武漢存儲基地一期已經投入生產,原本該工廠計劃的是一個10萬片產能的平面一層工廠,但實際可以做到15萬。

為了進一步擴大生產規模,武漢存儲基地二期和紫光成都存儲器製造基地已經開工,正在不斷擴大生產規模。

在應用方面,11月7日,在第五屆世界網際網路大會上,紫光集團發布了內置中國首顆存儲芯與紫光安全晶片的安全移動存儲產品—紫光新一代隱式指紋安全U盤,這款產品由紫光集團旗下「芯雲戰略」核心企業紫光存儲聯合長江存儲、紫光國微隆重推出。

據了解,紫光新一代隱式指紋安全U盤搭載的三維快閃記憶體顆粒即此前備受矚目的中國首顆長江存儲芯,實現了中國存儲晶片「零」的突破。

之前芯師爺在與紫光工作人員溝通過程中也獲悉,雖然國內存儲晶片已經具備了製造能力,但是面臨的挑戰非常大,想要從國外三巨頭中爭奪市場也不容易,U盤應用是一個很好的嘗試。

對此,芯師爺則認為,國產U盤的推出意義重大,代表了我國存儲行業已經具備研發、製造及生產的能力。

但是接下來如何在技術方面追趕和國產替代,還需要慎重考慮,特別是在這樣的敏感時期。


全球存儲產業開始走下坡?


進入2018年下半年,全球半導體產業進入下行期,但是存儲行業仍保持增長態勢,僅是增長幅度有所降低。

從產業規模上來看,存儲產業仍占據半導體產業大部分市場份額。

日前,IC Insights發布了2018全球TOP15半導體廠商排行榜,三星預計以832.58億美元的營收坐穩第一,SK Hynix則擠下台積電成為新的第三,其全年營收將達到377.3億美元,同比大漲41%,是TOP15公司中增速最高的。

而美光公司也以318.06億美元,占據第五位,營收同比也增長了33%。


來源:IC Insights


不管是營收排名還是增速方面,2018年TOP15半導體銷售排名中,存儲晶片領域的廠商依然是最大贏家,對於全球半導體產業發展具有重要影響。

然而伴隨著整個產業的變化,存儲行業也進入了價格調整期。

近日,市場研究機構DRAMeXchange指出,10月份的DRAM合約價已經正式走跌,除了宣告DRAM價格漲勢告一段落,供過於求加上高庫存水位的影響將導致價格跌幅劇烈。

因英特爾14納米x86 CPU 產能短缺,比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機需求不振,及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機銷售不佳,加上3D NAND快閃記憶體轉到96層及DRAM內存轉到19納米以下製程工藝的產能增加。

預估明年內存DRAM和快閃記憶體NAND將會有3-5%的供過於求,價格下行趨勢確立。


雖然存儲器價格下行趨勢確立,但業內人士預估此次下行趨勢應不超過18個月,英特爾14納米x86 CPU 短缺狀況應會於明年中之前改善,10納米x86 CPU應於明年下半年量產,AMD 7納米x86 CPU, 7納米挖礦機及智慧型手機,5G手機等都將於明年出籠取代中低階機種及對存儲器半導體產生正面影響。

而從企業方面來看,三星已經減緩了3D NAND快閃記憶體產能的擴充,新的生產線要推到明年上半年才會上線,同時暫停了在韓國華城、平澤新建1ynm DRAM內存晶片工廠的計劃。

而SK海力士也同樣大大推遲了3D NAND快閃記憶體晶片產能擴充的計劃。


大陸是存儲晶片最大的市場


韓國貿易協會、大韓貿易投資振興公社及半導體行業發布數據稱,2017年中國存儲晶片進口總額達886.17億美元,同比增長38.8%。

其中,韓國產晶片的進口規模達463.48億美元,同比大增51.3%,在總進口中占52.3%。


此外,2018年第一季度,中國存儲晶片進口額達146.72億美元,同比猛增75.4%。

同時,大視頻時代流量爆發,而大陸是全球最大的數據生產國和消費國,雲存儲晶片需求量快速爆發。

中國大陸擁有相當數量的網際網路公司、終端品牌和電子產業鏈,有望引領終端應用創新。

另外,對於美光而言,中國市場也是不可或缺的一塊。

根據2017年年報顯示,美光科技約有50%的營收來自於中國市場。

在營收數據上,美光科技2017年在中國的銷售額高達104億美元(約合690億元人民幣)。

也正式因為這一點,在福州市中級人民法院7月裁定,美光半導體銷售(上海)有限公司立即停止銷售、進口十餘款Crucial英睿達固態硬碟、內存條及相關晶片,並刪除其網站中關於上述產品的宣傳廣告、購買連結等信息。

同時裁定,美光半導體(西安)有限責任公司立即停止製造、銷售、進口數款內存條產品之後,爆發了文章開始部分提到的晉華事件。

近日,台積電創辦人張忠謀表示聯電、晉華遭到美法院起訴的案子,已進入司法程序,相信此案是個案,絕對不代表台灣晶片廠商。

而據深科技報導,長江存儲已做好萬全準備,包括正在量產的3D NAND 技術有美國半導體大廠 Cypress 的技術授權作保護傘。

當初是武漢新芯向 Cypress 取得該技術,之後武漢新芯再併入長江存儲。

另一方面,長江存儲也不斷延攬有經驗的律師團做幕後顧問,這一切都是在防患於未然。

從目前發展來看,晉華被禁事件很大可能不會波及合肥長鑫和長江存儲,還停留在司法層面,但是後面也不排除出現其他方式的可能。


存儲領域多方博弈仍沒有停止


在晉華被禁事件之後,相關方福建晉華和聯華電子先後發表了聲明,但之後相關進展情況一直沒有披露。

而在短暫的沉寂之後,該事件又有了新的變化。

今天,國家市場監督管理總局反壟斷局局長吳振國表示,今年5月底市場監管總局對三星、海力士、美光公司涉嫌實施壟斷行為立案開展調查,立案調查以來,三家公司的相關負責人也到市場監管總局反壟斷局就案件進行溝通,反壟斷局也向三家公司通報了案件的調查情況。

目前,對這三家公司的反壟斷調查已經取得了重要進展。


國家市場監督管理總局反壟斷局局長 吳振國

來源:中國網


吳振國稱,根據舉報,今年5月底市場監管總局對三星、海力士、美光公司涉嫌實施壟斷行為立案開展調查,從三家公司調查獲取了大量證據資料。

隨後,又對數十家下游企業開展了調查取證,並對取得的證據資料進行梳理和甄別。

立案調查以來,三家公司的相關負責人也到市場監管總局反壟斷局就案件進行溝通,反壟斷局也向三家公司通報了案件的調查情況。

目前,對這三家公司的反壟斷調查已經取得了重要進展,下一步反壟斷局將對案件的相關市場界定、市場支配地位的認定、市場支配地位的行為定性等方面開展研究論證,依法做好案件調查處理工作,維護市場公平競爭,保護消費者利益。

從上面的表態可以看出,國家市場監督管理總局對於三星、海力士、美光公司反壟斷調查仍在持續推進,而這勢必也會對晉華事件未來走勢帶來影響。


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