新一代5納米製程晶片亮相，瞧瞧工藝怎麼樣？

來源: 集微網

1.總投資83億元，集成電路12英寸矽片項目落戶浙江衢州集聚區

2.比特幣價格波動劇烈，外資連拋台積電

3.國泰君安：首次予中芯國際增持評級 目標價16.76元

4.華虹宏力徐偉:無錫IC研發和製造基地一期正在加緊建設中

5.新一代5納米製程晶片亮相，相較之前產品面積微縮24%

6.超百億市場空間，半導體設備國產化大勢所趨

1.總投資83億元，集成電路12英寸矽片項目落戶浙江衢州集聚區

5月30日上午，由杭州立昂微電子股份有限公司投資83億元、年產360萬片集成電路用12英寸矽片項目在衢州集聚區正式簽約。

該項目的實施，將打破國外巨頭在這一產品領域的壟斷，提高大尺寸高端矽片國產化率，並有效推動我市加快成為國內領先的集成電路材料產業基地。

市政協副主席、區黨工委書記祝曉農出席，區黨工委副書記、管委會副主任鄭河江，市國資委副主任、基金辦主任馬偉民，區黨工委委員黃建霖，綠髮集團董事長楊利明和杭州立昂微電子股份有限公司董事長王敏文等參加。

鄭河江、馬偉民與王敏文共同簽訂年產180萬片集成電路用12英寸矽片項目投資協議

今年3月，由立昂公司投資的8英寸矽片生產線項目已正式投產。

本次該公司計劃追加投資83億元，建設年產360萬片集成電路用12英寸矽片項目。

其中一期投資35億元，租用金瑞泓科技（衢州）有限公司約70畝土地及地面約4萬平方米左右廠房，建設年產180萬片集成電路用12英寸矽片項目，一期項目達產後預計可實現年銷售收入16億元，稅收約1.6億元。

祝曉農對項目簽約表示熱烈祝賀，她指出，年產360萬片集成電路用12英寸矽片項目簽約是我區集成電路產業發展中的一件大事、喜事，各相關部門要以打造營商環境最優示範區為契機，抓好時間節點提供優質服務，緊扣審批、註冊、基金等環節，確保項目按期開工建設；要抓緊園區生活和生產性配套建設，同步推進人才公寓、公交線路和水、電、氣等配套設施建設；要利用工作專班，開展團隊作戰，抓實關鍵環節、抓牢關鍵問題，合力助推項目建設；要積極向上爭取省產業引導基金，推動園區集成電路產業加快發展。

王敏文對我區的優質高效服務表示感謝，他表示，年產360萬片集成電路用12英寸矽片項目的建設離不開集聚區黨工委、管委會以及各相關部門的大力支持，立昂公司將按照時間節點要求搶抓有利時機，加快建設進度，力爭項目早建成、早投產、早見效，全力在正確的道路上加速奔跑。

2.比特幣價格波動劇烈，外資連拋台積電

台積電董事長張忠謀曾表示，虛擬貨幣成為台積電重要成長動能，使市場每遇比特幣波動，常聯想台積電營運，外資摩根史坦利（大摩）出具報告表示，比特幣熱潮退卻的後淘金時代，挖礦需求將有四情境。

台積電訂30日參加花旗環球證券舉行的法說會，近期比特幣波動劇烈，外資至30日為止，連五賣台積電。

其中大摩年初準確預測台積電第2季將因虛擬貨幣業務波動，營收較前季衰退，為外資圈保守代表。

大摩密切追蹤虛擬貨幣動能，5月集結國內外七名分析師出具標題為「虛擬貨幣：淘金之後」的深度報告，內容重申，比特幣價格起伏對半導體業形成威脅，而台積電第1季營收約有一成來自虛擬貨幣，扮演結構性挑戰指標。

大摩指出，判斷虛擬貨幣風險，價格常視為唯一影響因子，事實上，挖礦產能的動態變化也是關鍵，該因素可由台積電的晶圓出貨評估，並根據虛擬貨幣價格及產能變化，建構四大後淘金情境。

第一，「淘金熱2.0」：虛擬貨幣價格反彈而挖礦產能受限，台積電為保留晶圓產能投入智慧型手機及高速運算，提升產業議價能力。

其次「繞圈子」：貨幣價格續漲但產能增，如今年4月，比特幣由6,000彈至9,000美元，此時台積電受手機需求疲弱影響，有更多產能吸收挖礦需求。

第三，「軟著陸」：部分挖礦產能恢復但價格疲軟，台積電在內的半導體大廠縮限資源投入挖礦產品。

最後是「硬著陸」：半導體供給對價格下跌回應太慢，台積電面臨產能必須補足及降低資本支出。

大摩以未來六個月，推估四情境各為比特幣均價1.9萬美元、挖礦單月產能減少10%；均價1.9萬美元、產能增30%；均價3,000美元、產能減10%，以及均價3,000美元、產能增30%。

針對今年台積電營運，大摩基本情境是均價9,000美元、產能增15%，營收增二成。

3.國泰君安：首次予中芯國際增持評級 目標價16.76元

國泰君安發布研究報告稱，首次覆蓋中芯國際給予「增持」評級，目標價16.76元。

該行預計，公司2018-2020年EPS為0.27、0.48、1.04元，給予公司2018年35倍PE，目標價16.76元。

該行表示，2017年全球晶圓代工行業實現總營收573億美元，同比增長7.1%。

隨著物聯網、汽車電子、HPC等新興需求增長，該行認為，晶圓代工市場將持續增長。

報告中稱，當前台積電一家獨大的產業格局存在被打破的可能性，出現第二巨頭、打破先進位程壟斷是契合客戶利益訴求的變化。

大陸承接半導體產業轉移帶來了絕佳的發展大環境，集成電路國產化的國家戰略則帶來了有力的政策扶持；中芯國際積極布局頂尖製程鎖定了晶圓代工核心競爭力，公司媲美台積電的產業鏈上下游布局奠定了綜合競爭力基礎。

另外，國泰君安稱，公司的營收、毛利率、產能利用率三大指標在2018年第一季度持續回升。

該行認為，公司已經走出2017年下半年的業績低估。

通過比較中芯國際和京東方，參考京東方的成功軌跡。

該行認為，中芯國際在大基金支持下會保持高水平的研發投入，在追趕國際先進的征途上風雨無阻。

同時，中芯國際同樣注重成熟製程和客制化應用。

中芯國際2017年在CIS和NORFlash應用上的營收大幅增長70%，在NAND Flash、BCD、電源管理和物聯網應用上也有積極布局，成熟製程成為穩定業績的壓艙石。

4.華虹宏力徐偉:無錫IC研發和製造基地一期正在加緊建設中

昨日，無錫高新區集成電路設計產業重大項目簽約暨無錫集成電路設計產業高峰論壇順利舉行，一大批專家和學者圍繞中國集成電路產業現狀及發展戰略分享了真知灼見。

會上，上海市集成電路行業協會秘書長、華虹宏力黨委書記、執行副總裁徐偉以《華虹的代工與集成電路設計產業發展的互動》為題發表主旨演講，展現了這些年來華虹與產業鏈上下游的積極協作。

他表示，當前正值中國半導體產業發展的黃金時代，華虹宏力作為全球領先的特色工藝純晶圓代工企業，定將始終與客戶、合作夥伴緊密攜手，共創「芯」夢想。

此外，華虹無錫集成電路研發和製造基地一期正在加緊建設中，將致力於打造全球領先的12英寸90-65/55nm特色工藝製造平台，圍繞智能終端、5G通信、物聯網、汽車電子等，服務於IC設計公司及相關的終端應用廠商。

5.新一代5納米製程晶片亮相，相較之前產品面積微縮24%

在目前全球的晶片製造產業中，除了台積電、格芯、三星、英特爾擁有先進的生產技術，以其強大的生產能量可以生產先進邏輯運算晶片之外，愛美科（IMEC）則是在晶圓製造領域中技術研發領先的單位。

因此，繼日前台積電與南韓三星陸續透露其在 5 納米先進位程的布局情況外，愛美科也在上周宣布了一項新的技術，製造了全球最小的 SRAM 晶片，其晶片面積比之前的產品縮小了 24%，未來將可適用於先進的 5 納米製程技術上。

事實上，由於結構簡單等因素，使得每一代新製程中的研發人員往往都會使用 SRAM 晶片進行測試。

結果就是誰造出的 SRAM 晶片核心面積更小，就意味著製程技術越先進。

此前的紀錄，是三星在 2018 年 2 月份的國際會議上宣布，期刊發出的 6T 256Mb SRAM 晶片，面積只有 0.026mm2。

不過，愛美科上周聯合 Unisantis 公司開發的新一代 6T 256Mb SRAM 晶片打破了這個紀錄，核心面積只有 0.0184 mm2 到 0.0205mm2 ，相比三星的 SRAM 微縮了 24%。

愛美科表示，面積能大幅縮小的原因，就在於使用了新的電晶體結構。

Unisantis 與愛美科使用的是 Unisantis 所開發的垂直型環繞柵極（Surrounding Gate Transistor，SGT）結構，最小柵極距只有 50nm。

這樣的水平，與標準型 GAA 電晶體相比，垂直型 SGT 單元 GAA 電晶體面積能夠縮小 20% 到 30%，同時在工作電壓、漏電流及穩定性上表現更佳。

目前愛美科正與 Unisantis 公司一起定製新製程的關鍵製程流程及步驟，預計透過一種新的製程協同優化 DTCO 技術，研發人員就能使用 50nm 間距製造出 0.0205 mm2 的 SRAM 單元，而未來該製程也能夠適用 5 納米製程的節點。

此外，該製程技術還能使用 EUV 極紫外光刻技術，減少製程步驟，這使得設計成本與傳統 FinFET 製程相當。

6.超百億市場空間，半導體設備國產化大勢所趨

前段時間國內國外鬧得沸沸揚揚的「禁芯」事件，為我國半導體行業敲響了警鐘，半導體產業一天不自主可控，國家的安全，產業的發展就得不到保障。

集成電路產業的發展需求必將倒逼晶片國產化進程，未來設備國產化是必然趨勢，隨著國家半導體行業的發展，國產設備市場空間超百億。

圓廠投資熱潮帶動半導體設備增長下游半導體行業景氣度的提升加上晶圓工業的不斷升級，全球上演了半導體晶圓廠投資熱，大大的帶動了上游半導體設備行業增長。

據SEMI報告，2017到2020年，全球將新建62座半導體晶圓廠，其中中國大陸占據26座，主要以投資12英寸晶圓廠為主。

以羅方格晶圓廠數據為例，晶圓廠80%的投資用於購買，這必將大幅帶動半導體設備行業的發展。

晶圓製造關鍵設備國產化有待突破晶圓製造產業屬於典型的資產和技術密集型產業，光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備為晶圓製造核心設備，分別占晶圓製造環節的23%、30%、25%。

光刻機作為半導體晶片最核心設備，技術難度高、價格在2000萬美金以上，高端領域被荷蘭ASML壟斷，市場份額高達80%，最新出的EUV光刻機可用於試產7nm製程，可達3-4億美元。

全球晶圓代工廠台積電、三星、英特爾展開20nm以下製程工藝競賽的今天，我國的技術領先光刻機僅能用來加工90nm晶片!

國家政策和資金扶持持續加碼從2014年開始，國家就提出了建立從晶片到終端產品的產業鏈規劃，要求集成電路設備材料端要在2020年之前打入國際採購供應鏈。

為此，國家投入了政策和大量資金來推動半導體國產化進程，其中集成電路大基金已經進入密集投資期，前大陸集成電路產業投資基金總額高達6532億元，規模有望直逼1萬億元，涵蓋了IC設計、晶圓製造、晶片封測等領域。

設備國產化是IC國產化的重中之重，有真正掌握最核心工藝，才能夠實現真正意義上的國產化。

可以預測，未來大基金和國家產業政策在設備方面的投資力度和政策扶持將持續加碼。

國產晶圓製造設備 未來三年有望超百億中國晶圓製造設備市場需求處於上升階段，根據國產21條12寸晶圓廠產線情況，綜合考慮晶圓廠建設時間先、設備投資比例，芯電易預測2018年、2019年、2020年我國國產晶圓製造設備市場空間達71億元、137億元、180億元。

以SEMI口徑設備端測算2018-2020年的市場空間約250億元，從興建晶圓廠投資端測算2018-2020市場空間約387億元。

雖然我國的半導體製造設備國產化進程不斷加速，整個設備市場呈現出繁榮景象，但是國產化要想實現完全替代不可能一蹴而就，不斷的加強研發水平，提高技術能力，才是真正提高我國半導體製造設備國際競爭力的最有效方法。