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7nm：台積電 VS 三星

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來源：semiwiki

半導體代工業務在過去30年中經歷了一個動態變革。

最初，代工廠是IDM背後的幾個流程節點，追趕的希望渺茫。

今天，代工廠正在引領10nm-7nm的工藝開發競賽，並且絕對會繼續這樣一直做下去。

台積電的優勢在於：

因為他們是台積電，這是值得信賴的代工合作夥伴，擁有最成熟，最完整的生態系統。

台積電也是工藝技術的領導者和激烈的競爭對手。

三星的優勢有以下三個方面：

1. 台積電之外的唯一選擇

產能不是三星的問題，擁有台積電之外的另一個代工選擇總是好的。

台積電(TSMC)和三星(Samsung)是僅存的兩家最領先的晶片代工廠，因此這一點比大多數人想像的要重要得多。

2. 技術

領先的無晶圓廠公司尋求最佳技術，以滿足其上市時間要求。

三星在14納米領先於台積電，他們在該節點表現相當不錯。

在10nm和7nm處，三星落後於台積電，但三星7nm在台積電之前擁有EUV。

3. 價錢

三星擁有業界有史以來最好的晶圓價格。

作為最大的存儲器製造商確實有其優勢，晶圓定價就是其中之一。

國際公認的半導體專家和IC Knowledge的創始人Scotten Jones 給出了台積電與三星7nm的工藝數據對比如下：

  • Contacted Poly Pitch (CPP) (接觸間距）

- 台積電和三星都宣稱7納米的CPP為54納米，但對於它們兩者而言，我相信它們對電池的實際CPP為57納米。

  • Metal 2 pitch (M2P)

    三星是36nm，TSMC是40nm。

  • Tracks

    三星最小單元Tracks高度為6.75，TSMC為6.0。

  • Diffusion break

    TSMC光學工藝(7FF)是雙擴散斷路(DDB)，據報導它們的EUV工藝(7FFP)將採用單擴散斷路(SDB)。

    三星7nm有第一代工藝(我相信這是7LPE)，是DDB，他們也有第二代工藝(我相信這是7LPP)，也是DDB。

    在今年的VLSIT上，他們討論了與SDB的第三代流程。

    很難知道這到底是什麼，在10nm，他們的第二代工藝實際上是他們的8nm工藝，所以這可能是他們的5nm工藝，也可能是第三代7nm工藝。

  • Transistor density（電晶體密度）

    TSMC 7FF的最小單元邏輯密度略好於三星7LPE或7LPP。

    台積電EUV 7FFP略好於三星「 第三代」7nm。

  • SRAM cell size（SRAM單元尺寸 ）

    我認為所有三星三代以及台積電的兩代的SRAM單元尺寸是相同的，但我不確定。

    三星的SRAM單元略小一些。

Scotten 認為，總的來說，這兩家的工藝在密度上是相似的，但台積電會在產能提升方面會處於領先地位。

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