KnCMiner團隊計劃於2015年推出16納米集成電路

加密貨幣挖掘硬體製造商KnCMiner計劃在2015年推出他們的下一款比特幣集成電路。

這家瑞士公司宣布他們即將推出的太陽能集成電路是建立在新的16納米的FinFET節點上，其效率將表現得更加優秀。

在一份聲明中，公司稱上述技術將依靠工程團隊創造出的解決方案，並補充道：「16納米技術代表了處理能力的巨大變化，因為我們使用的是公司開發的專有技術，速度達到一個數量級，遠遠高於現有 速度。

」

KnCMiner揭開ASIC集成電路的面紗

今年早些時候，KnCMiner成為第一個製造出20納米平面晶片的比特幣集成電路製造商。

幾個月前，第一海王星晶片面世，新過程的過渡催生出性能的巨大提升，是對前一代28納米晶片性能的顯著改進。

20納米海王星配備1440核，速率達到0.07W per GH/s。

新的太陽能平台被寄望提供一個比之前的20納米產品速率快6倍的硬體。

更具效率，就像公司所說的可以達到0.07W per GH/s。

KnC的太陽能平台配備超過5000核，使它成為比海王星更加複雜的集成電路。

16納米節點的密度高於20納米的節點，這就允許設計師在每平方毫米內集成更多的電晶體。

新的製造過程同時帶來了高計時和高效率，但是只能在某一時刻推算到精確的數字。

KnCMiner沒有披露其合作夥伴的名字，想要畫出節點之間的比較關係將會困難重重。

比特幣ASIC集成電路走向3D

KnCMiner的宣言代表著另外一個走向，那就是下一代比特幣晶片行業的轉變。

FinFET允許設計者利用非平面電晶體設計，因此建立在此技術之上的晶片常被稱之為3D電晶體。

對於FinFET的製造流程，不 同的晶片製造商有不同的定義，但是這些新項目的目的是相同的，追求更高效的性能和表現。

英特爾是第一個在晶片上使用非平面3D電晶體的公司，但是這些電晶體常被稱作是三極體而不是FinFET 設計的那種。

技術的區別非常模糊—儘管英特爾沒有使用FinFET的設計，它的14納米和22納米的 晶片，名為常春藤橋和哈斯維爾的兩款設計，還是跟 FinFET的非常相似。

儘管英特爾近年來開始進軍鑄造業，公司並不向第三方租賃他們的流程。

結果就是，晶片設計者們開始選擇三星或者格羅方德或者台灣的一些晶片製造商。

TSMC的16納米FinFET節點已經進入生產風險但是公司卻形容它非常安全。

公司現在的產能只有四分之一，預計2015年一季度開始批量生產。

TSMC原本計劃在第二季度開始批量生產。

三星和格羅方德幾年 早些時候聯手FinFET推動這些項目。

這兩家公司稱他們本應該在2014年就生產出14納米的產品，但是試產擴量來得晚了一些導致量產推遲。

潛在的下滑趨勢

少數人轉向16納米晶片的缺點，但事實上每一個潛在的節點，都是收益率。

成熟的過程與量產的過程不衝突，這些問題往往需要一個複雜高端的GPU來解決。

收益率問題意味著製造商得到了很多缺陷模， 推動健康磨具的單價下滑。

但是，這個問題往往是在面臨大容量晶片出現，低收益率侵蝕了晶片製造商的收益率。

比特幣集成電路是一個低容量和短生命周期的電路，任何潛在的風險都可能抵消其優越的性能。

同時，TSMC先前稱 其16納米的收益率是很好的。

晶片使用最新的製造工藝，這比建立在以往成熟技術節點上的花費要多一些，但是一旦價格溢價超出了其性能優越帶來的價值，即使是在消費者手中的晶片，也終將被拋棄。

轉自：http://55coin.com/2497.html