NAND Flash將難以擺脫被淘汰的命運
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NAND Flash的普及給發展緩慢的存儲市場注入了新的動力,雖然相比較機械硬碟(HDD)的價格仍然較高,但憑藉著出色的性能表現,全快閃記憶體陣列已經穩穩的占據了存儲高端市場。
目前,很多公司的關鍵性業務上均採用了高端的全快閃記憶體存儲。
NAND Flash開創了固態硬碟(SSD)時代
雖然,NAND Flash開創了固態硬碟(SSD)時代,優勢已經得到了認可。
但是,隨著新技術的發展,僅僅只是開始的NAND Flash,或將面臨著被淘汰的命運。
首先,由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發的3D XPoint技術已經正式對外公布,3D XPoint開發人員表示,新儲存裝置的速度和耐用度可達到NAND Flash的1,000倍。
英特爾與美光在不久之前宣布設立新的品牌來推廣3D XPoint技術。
intel宣布設立基於3D-Xpoint技術的固態硬碟新品牌命名為Optane
,美光科技也推出新的固態硬碟品牌,命名為QuantX。
3D XPoint是一種新的非易失性存儲技術
3D XPoint是一種新的非易失性存儲技術,也就是能像NAND快閃記憶體那樣斷電保持數據,但同時又有著極高的速度和性能,能夠達到DRAM內存級別,因此它既能做成硬碟,也能做成內存,而且單位容量成本介於二者之間,堪稱夢幻黑科技。
其次,IBM根據相變化存儲器(Phase Change Memory)修正後開發的新型態儲存裝置,這項技術還可通過減少在疊代之間讀取數據時導致的延遲開銷,大大提高採用大型數據集的機器學習算法的速度。
IBM則表示其開發的PCM在讀取和寫入速度方面比NAND Flash快上數百倍,預計可進行1,000萬次讀取循。
相變化存儲器(Phase Change Memory)與DRAM不同,在斷電時不會丟失數據,並且這種技術可實現至少1000萬次重複擦寫次數,而普通的USB快閃記憶體記憶棒(U盤)最多只能重複擦寫3000次。
另外,相變化存儲器(Phase Change Memory)存儲器可以獨立使用,或者用作混合應用設備的一部分,此類混合應用設備整合了相變化存儲器(Phase Change
Memory)和快閃記憶體,以相變化存儲器(Phase Change Memory)作為速度極快的高速緩衝存儲器(Cache)。
在消費領域,手機的作業系統可儲存在相變化存儲器(Phase Change Memory)中,使手機可在幾秒鐘內開機。
在企業領域,整個資料庫都可儲存在PCM中,可為時間要求苛刻的在線應用(例如金融交易)提供超快的查詢處理。
無論從哪一種技術來看,NAND Flash已經看起來是一種老舊的技術,雖然NAND Flash還並未普及。
當然,這些新技術從開發到應用,還需要一段時間。
另外,新技術上市之前,價格往往都非常昂貴。
不過,從成本上來看,NAND Flash與這些新技術相比並沒有任何的優勢,所以淘汰只是時間的問題。
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