我國半浮柵電晶體器件研發取得重大突破

中證網訊 科技部網站29日消息，隨著動態隨機存儲器存儲密度的提升，電容加工的技術難度和成本大幅度提高，成為制約動態隨機存儲器發展的關鍵性因素。

因此，科研人員一直在尋找可以用於製造動態隨機存儲器的無電容器件技術。

復旦大學專用集成電路與系統國家重點實驗室張衛教授團隊長期以來一直從事集成電路工藝和新型半導體器件的研發，於近期取得重大突破，成功研發出半浮柵電晶體（SFGT）。

採用該新器件構成的動態隨機存儲器，無需電容器便可實現傳統動態隨機存儲器全部功能，不但成本大幅降低，而且集成度更高，讀寫速度更快。

此外，半浮柵電晶體還可應用於主動式圖像傳感器晶片，提高感光單元密度從而提升圖像傳感器的解析度和靈敏度。

這項研究成果發表在近日出版的《科學》雜誌上。

目前，動態隨機存儲器、靜態隨機存儲器和圖像傳感器技術的核心專利基本上都被美光、三星、英特爾、索尼等國外公司控制。

半浮柵電晶體作為一種基礎電子器件，在存儲和圖像傳感等領域的潛在應用市場規模達到三百億美元以上。

該器件的成功研製有助於我國掌握集成電路的核心器件技術，是我國在新型微電子器件技術研發上的一個里程碑。

（李香才）