重大突破!1nm電晶體誕生 未來手機難以想像
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【PConline 資訊】據外媒報導，近日，美國勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊打破了物理極限，將現有最精尖的電晶體製程從14nm縮減到了1nm。
據報導，勞倫斯伯克力國家實驗室教授阿里-加維(Ali Javey)領導的一個研究小組日前利用碳納米管和一種稱為二硫化鉬的化合物開發出了全球最小的電晶體。
此前，英特爾等晶片巨頭表示它們將尋找能替代矽的新原料來製作7nm電晶體，現在勞倫斯伯克利國家實驗室走在了前面，它們的1nm電晶體由納米碳管和二硫化鉬(MoS2)製作而成。
MoS2將擔起原本半導體的職責，而納米碳管則負責控制邏輯門中電子的流向。
雖然這一研究還停留在初級階段，畢竟在14nm的製程下，一個模具上就有超過10億個電晶體，而要將電晶體縮小到1nm，大規模量產的困難有些過於巨大。
但是這一研究依然具有非常重要的指導意義，電晶體的製程大小一直是計算技術進步的硬指標。
電晶體越小，同樣體積的晶片上就能集成更多，這樣一來處理器的性能會提升，而功耗會進一步降低。
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