厲害了我的計算機：1nm電晶體正式誕生了
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在一些朋友都在討論未來電晶體工藝就要到達極限的時候，勞倫斯伯克利國家實驗室的一個團隊用事實行動告訴我們，他們打破了物理極限！！！！因為他們已經將目前最頂尖的電晶體製程從14nm縮減到了1nm。
相信大家都知道，電晶體工藝的製程大小一直都是計算技術進步的最重要的指標。
因為如果電晶體越小，是能夠在同樣體積的晶片上有更多的集成的。
這樣的處理器和功耗都會獲得非常恐怖的進步。
這麼多年來，技術發展都一直遵循的摩爾定論進行發展。
因為當價格恆定不變時，在集成電路上是可以容納的元器件的數目，基本上會在18-24個月便會增加一倍，當然性能也會增長一倍。
基本上1美元能買到的電腦性能，肯定在18-24個月後就會有一倍以上的翻番。
雖然目前最新的intel晶片仍然是14nm的。
但是到了明年年末。
整個業界就將開始向10nm製程發展。
但是放眼未來來看，摩爾定律似乎有些開始失靈了。
因為從晶片製造的角度來分析，7nm就是物理極限。
因為一旦電晶體大小低於這一數字他們在物理形態上的集中，是可能產生量子隧穿效應的，所以這多晶片製造帶來了巨大的挑戰。
因此，業界普遍認為，想解決這一問題就必須突破現有的邏輯門電路設計，讓電子能持續在各個邏輯門之間穿梭。
此前，英特爾等晶片巨頭表示它們將尋找能替代矽的新原料來製作7nm電晶體，現在勞倫斯伯克利國家實驗室走在了前面，它們的1nm電晶體由納米碳管和二硫化鉬（MoS2）製作而成。
MoS2將擔起原本半導體的職責，而納米碳管則負責控制邏輯門中電子的流向。
眼下，這一研究還停留在初級階段，畢竟在14nm的製程下，一個模具上就有超過10億個電晶體，而要將電晶體縮小到1nm，大規模量產的困難有些過於巨大。
不過，這一研究依然具有非常重要的指導意義，新材料的發現未來將大大提升電腦的計算能力。
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