HUAWEI華為發布麒麟980 處理器，10月16日 Mate 20 首發

2020-09-18

文章推薦指數： 80 %

投票人數：10人

還是熟悉的時間與熟悉的地方，華為剛剛在 IFA2018 發布全新的麒麟 980 處理器，與往常一樣拿到了多項首發，比如全球首次採用 7nm 製程、ARM Cortex-A76 微架構、Mali-G76 GPU，並且是首款支持 Cat.21 1.4Gbps 下載速率、支持 2133MHz LPDDR4X 內存的處理器；除此之外還採用了雙 NPU 神經網絡處理單元，以及全新一代的 i8 微智核。

根據官方給出的數據，整體性能相比驍龍 845 提升 37％，能效提升 32％。

隨著華為手機在全球地位的日益提升和出貨量的逐年增加，自研處理器在其中的戰略地位和意義顯得越來越重要，華為官方表示，這顆麒麟 980 早在 2015 年就開始相關研究，2016 年構建 IP 單元，2017 年進行工程驗證，2018 年投入量產，歷時長達 36 個月；同時華為和台積電為此投入了 1000 多名半導體設計和工藝高級專家。

首發A76、三叢集

CPU 部分，由於 Cortex-A76 支持 ARM 最新的 DynamIQ 調度技術，麒麟 980 可以非常靈活的採用三叢集設計——工作於最高 2.6GHz 主頻的兩顆 A76（為功耗考慮，低於 ARM 給出的峰值 3GHz） + 工作於最高 1.92GHz 的兩顆 A76 + 工作於最高 1.8GHz 主頻的四顆 A55，所有 A76 核心都擁有獨立的 512KB 二級緩存。

與以往我們常見的集群設計不同，麒麟 980 加入的兩顆中等頻率的 A76 可以看出其希望兼顧峰值性能與功耗水平的考慮，特別是相比之前某些同步工作的四核心叢集。

第三個叢集也是 ARM 最新的「省電」微架構 Cortex-A55，1.8GHz 的最高工作頻率基本與之前麒麟 970、960 當中的 Cortex-A53 相似，四顆 A55 核心也都各自擁有獨立的 128KB 二級緩存。

三個集群的調度顯然對於麒麟 980 來說是個不小的挑戰，官方給出了一些常用場景的 CPU 資源分配情況，拍照、短視頻等應用開始有「中核心」介入，而「大核心」介入則需要到高負載的遊戲場景、相冊等才會出現。

至於你們所關心的性能表現，PPT 數據來看 CPU 部分相比麒麟 970 提升 75%，功耗降低 58%，與 ARM 公布的數據相差不多。

GPU能效提升178%

GPU 部分，麒麟 980 同樣首發了 ARM 最新的 Mali-G76 GPU，同時選擇了十核心配置（麒麟 970 為十二核心 G72），最高運行頻率 727MHz 的麒麟 980 GPU 部分據悉相比上代有 46% 的性能提升，能效提升 178%。

當然目前華為 Mate 20、榮耀 Magic 2 這些機型都沒有正式發布，還沒辦法找到這些數據的實錘，於是外媒 AnandTech 依據經驗給出了 GPU 部分性能的推斷——GFXBench 圖形測試 Manhattan 3.1 Offscreen 場景可能的成績為 55fps，低於驍龍 845 的 61.16fps，但據推斷 3.5W 的平均功耗也是低於後者的 5.01W。

以麒麟 970 的 5.94 fps/W 性能/功耗比來看，麒麟 980 GPU 部分的性能/功耗比可能為 16fps/W，而驍龍 845 的 Adreno630 為 11.99fps/W。

當然上面的只是雲推斷，至於發布會給出的吃雞幀率自然是要高過對手的。

內存部分，麒麟 980 支持 LPDDR4X@2133MHz，帶寬提升 13%（29.9GB/s~34.1GB/s）。

拍照方面，麒麟 980 全新升級第四代自研 ISP，圖像處理性能提升 46％，支持更多的攝像頭數量（所以華為 Mate 20 或也將採用三攝），能夠提供更好的 HDR 表現。

視頻拍攝能效提升 23％，延遲降低 33％。

AI 部分，麒麟 980 搭載業內首款雙核 NPU，實現每分鐘圖像識別 4500 張，支持人臉識別、物體識別、物體檢測等 AI 場景。

採用更高精度的深度網絡，具備更佳的實時性。

1.4Gbps峰值下載

網絡部分，麒麟 980 支持目前最高的 1.4Gbps（Cat.21）下載速率，以及最高 200Mbps（Cat.18）的上傳速率。

WiFi 部分搭載目前全球最快的無線晶片 Hi1103，理論峰值下載速率可達 1.7Gbps，是業界同期水平的 1.7 倍。

雖然上面提到的僅是 4.5G 標準，但這畢竟是華為，也同時發布了 Balong 5G 基帶可供麒麟 980 未來適配。

至於製程部分，麒麟 980 集成了 69 億電晶體，相比 55 億的麒麟 970 增加 25%，得益於台積電 7nm 製程的採用，die 面積減小了 100mm²，電晶體密度增加 55%。