攜手Everspin:IBM為19TB NVMe SSD引入MRAM
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據外媒報導,IBM 正在擺脫傳統需要電容支持的 DRAM,轉而推進面向下一代快閃記憶體系統的磁阻存儲器(MRAM)技術。
AnandTech 指出,MRAM 是當前市面上速度最快、耐用性最高的非易失性存儲器之一。
只是與 NAND 快閃記憶體(甚至英特爾的 3D XPoint 存儲器)相比,其密度相對更加受限。
好消息是, IBM 與格羅方德(Global Foundries)達成了合作,在後者 22nm FD-SOI 工藝基礎上製造 MRAM 。
正因如此,使得 MRAM 晶片供應商 Everspin 將產能提升到了新的高度。
目前 Everspin 正在生產 256Mb 晶片,但有望在今年年底前開始 1Gb 晶片的出樣。
IBM 的 FlashSystem 設備,使用了類似 SSD 的定製外形、部署了系統級掉電防護功能、以及 FPGA 主控。
藉助新系統,該公司還能將它轉變成標準的 2.5 英寸 U.2 驅動器。
但要為每個驅動器部署超級電容,來保持 FPGA 主控在掉電後有足夠長的時間運行並刷新其 DRAM 寫緩存的話,顯然是不現實的。
值得慶幸的是,MRAM 的非易失性,可以徹底消除對大型超級電容器的需求。
AnandTech 指出,IBM FlashSystem 可擁有高達 19.2TB 的 64 層 TLC NAND 存儲空間,並藉助 20 通道 NAND 接口和 PCIe 4.0 x4 主機接口,在雙埠 2+2 模式下運行。
據悉,IBM 將在本周的快閃記憶體峰會上展出 FlashSystem 驅動器,並於本月晚些時候開始向客戶交付。
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