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中國半導體光刻時代到來，中芯、長江存儲、華虹先後引進

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近期中國半導體廠開始積極迎接先進的光刻機時代到來。

就在日前，中國最大晶圓代工廠中芯國際斥資1.2億美元,自荷商艾司摩爾(ASML)買來中國首台極紫外線光刻機的消息曝光之後,以生產 NAND Flash 為主的長江存儲，也在日前傳出，同樣向艾司摩爾採購價值 7200 萬美元的193 奈米沉浸式光刻機,用於20~14奈米的3D NAND Flash 生產，也同樣運抵武漢。

最新的是，華虹集團旗下的上海華力集成電路，也迎接了他們的首台193 奈米雙沉浸式的光刻機，以用於先進位程的晶圓製造生產。

事實上，中國在政府的政策支持下，發展半導體產業不遺餘力已經不是新聞。

不論是在晶圓代工製造，DRAM、NAND Flash 等領域，過去企圖透過購併、挖角以獲得先進技術。

但是在製程的過程中，關鍵的技術設備在過去難以取得，也是阻礙中國半導體發展的原因之一。

如今，似乎這樣的限制正逐漸地被打開中。

在相關的半導體生產中，中國廠商也開始逐漸導入先進的製程設備，以方面往更先進的製程。

據了解，在5月21日上午運抵上海浦東新區康橋工業園南區的艾司摩爾雙沉浸式光刻機，是由上海華宏集團旗下的華力集成電路所採購，預計將安裝於興建產線中的12寸晶圓廠華虹六廠中使用。

該部雙沉浸式光刻機的型號為 NXT 1980Di，可用於10奈米級(14~20奈米)的晶圓生產，它也是中國裝備的最先進的沉浸式光刻設備。

而根據市場調查研究單位 IC Insights 的資料指出，上海華虹在2017 年的營收排名全球第八，雖然仍落後龍頭台積電很大的距離。

但是，其金額卻僅次於中芯國際，而且年成長率高達18%，為該年度全球成長最大的廠商。

而上海華虹旗下的12寸晶圓廠華虹六廠是該公司第2座12 寸晶圓廠。

預計產線完成建置，並正式投入生產後，最大產能可達每月4萬片。

而開始設計的製程技術為28奈米，最終將以14奈米製程做為生產標準製程技術。

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