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國產芯真的全面崛起技術獲外媒稱認可中芯國際今年量產7nm晶片

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眾所周知，中國一直以來都是全球晶片需求量最大的國家，每年都將會消耗全球約1/3的晶片，但即便是面對如此龐大的需求量，我們國內在晶片製造領域依舊處於較為落後的態勢，相對於晶片設計、晶片封測方面，早已經追上了世界頂尖主流水準，唯獨在晶片製造這個環節，目前與世界頂尖水準依舊還有這2-3代技術差距（約近5年差距）。



相信大家都知道，中芯國際已經正式量產了14nm晶片，但相較於台積電、三星的7nm工藝水準，中間依舊還間隔著12nm、10nm、8nm技術，也是有著三代技術差距，但我們都知道，目前中芯國際聯席CEO梁孟松博士，也在2月份財報會議上，正式對外透露了中芯國際最新的N+1、N+2代晶片工藝的具體情況，據悉，中芯國際最新一代N+1晶片工藝，相較於目前14nm晶片工藝，將會有著20%左右的性能提升，功耗更是直接降低了57%，邏輯面積直接縮小了63%，SoC面積也減少了55%，按照這樣的性能參數水準，無疑中芯國際的N+1晶片工藝水準，已經能夠接近於台積電7nm工藝，據悉中芯國際N+1晶片工藝將會在今年年底正式實現量產，而對於N+2晶片工藝則是面向高性能，同時成本也會增加；



更重要在3月4日，中芯國際從荷蘭進口的一台ASML大型光刻機順利通進入到深圳廠區，同時也花費了高達近17億美元（約120億人民幣）用於進口晶片製造的相關原材料和設備，這意味著大家最為期待國產晶片的製造環節，已經正式開始實現了崛起，同時中芯國際的高速崛起發展，也是得益於梁孟松博士的加入，而面對中芯國際如此神速的進步，自然也是引起了外媒的關注和報導，這意味著，中芯國際的實力已經開始得到「外媒認可」，當然對於中芯國際未來發展而言，如果無法獲得EUV光刻機，這意味著會影響中芯國際N+2工藝之後的發展，畢竟要發展6nm、5nm晶片還是需要EUV光刻機，而DUV極限也就是7nm工藝水準；



寫在最後：隨著中芯國際在晶片製造工藝水準不斷崛起，要知道目前7nm工藝水準已經能夠生產接近90%的晶片，而未來中芯如果能夠進一步引進EUV光刻機，意味著也將會再次縮小與台積電、三星之間的差距，期待中芯國際在晶片製造領域能夠不斷地取得突破，當然小編也更寄希望於我國自己的，不弱於世界的光刻機的出現。

對此，各位小夥伴們，你們對於「國產晶片」崛起，都有什麼樣的意見和看法呢？

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