晶圓廠投資驅動全球半導體產業進入高速增長期

集微網消息（編譯/丹陽），半導體行業在2001年至2009年戲劇性的衰退後，開始呈現體量增長。

今年，也是該行業取得連續三年以晶圓廠投資為主的令人驚嘆的增長，而這種現象自上世紀90年代中期以來就十分罕見了。

為什麼這次會有所不同? 如移動應用、物聯網(IoT)、汽車和機器人、工業、增強現實和虛擬現實(AR&VR)、人工智慧(AI)和5G網絡等技術驅動拉動整體增長。

在這些技術的驅動下，從2016年到2021年半導體營收CAGR預計將達到6%，與2011 - 2016年的2.3％相比多了3.7個百分點。

全球半導體營收將在2017年超過4000億美元，這是史無前例的。

如圖1所示，市場對晶片的需求量很大，內存的定價居高不下，市場競爭十分激烈。

這些因素刺激了Fab投資增長，許多企業將前所未有的投入用於新建晶圓廠和晶圓製造設備。

圖1

SEMI發布的《全球晶圓市場預測報告》中預測， 2017年晶圓製造設備支出總額將達570億美元，同比增長41%。

2018年，預計支出將再增加11%，達到630億美元。

這兩次跳躍性的支出都是促成晶圓市場巨幅增長的因素。

在歷史性的大規模投資之後，預計2019年將放緩。

如圖2所示，英特爾(Intel)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)和GLOBALFOUNDRIES等多家公司在2017年和2018年增加了對Fab的投資。

然而，我們在這兩年中看到的強勁增長不是由這些公司造成的，而是由一家公司/一個主要地區造成的----韓國三星。

第一個飛躍是韓國，主要是三星在2017年的的投資增長。

預計三星將在2017年將其晶圓設備支出從80億美元增加到180億美元，增幅為128%。

而在此之前，在韓國沒有一家公司一年之內在晶圓廠投入如此多的資金。

SK Hynix（海力士）也將晶圓設備支出增加了70%，達到55億美元，這是其歷史上最大的支出水平。

雖然三星和海力士的大部分支出仍在韓國，但也有一部分流向中國，三星的一部分支出則流向美國。

預計三星和海力士都將在2018年保持高水平的投資。

第二個飛躍是中國2018年的投資增長。

2017年中國開始建造並將建造更多晶圓廠。

過去，非中國企業在中國的投資占了多數，但自2018年起，中資企業將首次與非中資企業境內投資水平持平，在Fab設備上的支出幾乎與非中國晶圓廠的一樣多。

從2013年到2017年，中資企業在中國晶圓設備支出一般在每年15億美元到25億美元之間，而非中資企業每年投資25億至50億美元。

預計2018年，中資企業將投資約58億美元，而非中國企業將投資67億美元。

長江存儲、福建晉華、華力、合肥長鑫等許多新公司都將在該地區投入巨資。

圖2

正在建造的新晶圓廠

2017年和2018年設備支出的歷史高點反映了需求的增長。

新晶圓廠的建設支出也出現了史無前例的增長，達到歷史最高水平。

中國晶圓廠建設支出2017年將達到60億美元，2018年將達到66億美元，打破了另一項紀錄——一年內沒有一個地區在晶圓廠建設上花費超過60億美元。

如圖3所示，更多的新晶圓廠意味著在未來幾年將會有新一輪的晶圓設備投資。

圖3

綜上所述，對半導體行業我們仍然保持樂觀態度，即使增長放緩，業界也會繼續對行業長遠增長持樂觀態度。