DRAM銷售額將歷史性地突破1000億美元，三星也將坐穩半導體龍頭寶座？

雷鋒網消息，在持續缺貨和價格上漲的背景下，近日半導體市場研究機構IC Insights發布的最新報告預測，2018年全球DRAM晶片產業增幅超過30%，總產值將突破1000億美元大關，以24%的市場份額繼續穩居IC產品市場規模第一。

作為DRAM市場占有率最高的三星，已經在去年成功超越英特爾坐上半導體龍頭寶座的三星能否因此保持霸主地位？

IC產業單個領域產值首次突破1000億美元

根據IC Insights（亞利桑那州斯科茨代爾）的數據，今年DRAM銷售額預計將增長39％，達到1016億美元。

與此同時，IBS（加利福尼亞州洛斯加托斯）預測今年DRAM市場將增長32.6％，更廣泛的半導體市場將增長12.5％。

DRAM市場銷售額增長 資料來源：IBS

IC Insights預計DRAM將占2018年整體晶片銷售額的24％，並預測今年銷售額第二大的NAND快閃記憶體預計將達到628億美元的規模。

IC Insights同時估計，DRAM和NAND將占今年4280億美元晶片市場的38％。

DRAM成IC晶片銷售最大來源，來源：IC Insights

當然，無論是DRAM還是NAND的增長，韓國廠商獲益最多，其中最大的贏家將是市場份額最高的三星電子，其在DRAM和NAND的市占率分別是45％、37％，比排名第二的SK海力士的28％、10％高很多。

DRAM市場份額 Source: IBS

獲益頗豐的三星

自1992年以來，英特爾一直是全球最大的半導體廠商，然而得益於晶片業務的推動，2017年第四季度，三星憑藉晶片業務690億美元的銷售額碾壓英特爾630億美元的銷售額，26年來首次擠下英特爾成為全球最大晶片製造商。

雷鋒網還了解到，IC Insights五月份公布的統計數據顯示，2018年第一季度三星的晶片銷售額為186億美元排名第二的英特爾為158億美元。

從增長率看，三星的增長率高達43%，而英特爾的增長率只有11%。

並且，三星的零部件銷售額在今年上半年已經超過手機部門。

數據顯示，上半年三星電子設備解決方案（DS）部門（也稱零部件事業部）銷售額為56.05萬億韓元（約合人民幣3400億元），占三星整體銷售額的47.1%；生產智慧型手機的IT＆移動通信銷售占比為44.1%，生產電視和其他家電產品的CE部門的銷售占比為16.9%。

從營業利潤來看，主要生產半導體和顯示器產品的DS部門的增長更加明顯，2013年DS部門的營業利潤在公司整體營業利潤中占38.8%，2014年為25.5%，2015年和2016年分別為27.2%和37.7%，去年為56.4%，今年上半年高達76.9%。

相比之下，IT＆移動通信事業部的營業利潤雖然從2013年到2016年占公司總營業利潤的一半以上，特別是2015年達到67.8%，但去年大幅跌至38.4%，今年上半年僅為21.1%。

三星能坐穩半導體龍頭的寶座嗎？

因此，三星能否在半導體龍頭寶座上坐穩，存儲晶片就成為了關鍵。

我們從替代技術和市場兩方面去尋找答案。

內基梅隆大學的研究者 Kevin Chang 指出：「過去二十年來，基於DRAM 的計算機內存的存取帶寬已經提升了20倍，容量增長了128倍，但延遲表現僅有 1.3 倍的提升。

」

如今的計算機需要大量高速度、高容量的內存才能保證持續運轉，尤其是工作重心是內存資料庫、數據密集型分析以及越來越多的機器學習和深度神經網絡訓練功能的數據中心伺服器。

儘管研究人員已經在尋找更好、更快的替代技術上努力了很多年，但在性能優先的任務上，DRAM仍舊是人們普遍採用的選擇，這有助於解釋2017年的DRAM銷量激增。

另外，DRAM 被認為是一個成熟的技術，雖快但功率需求大，當前或未來有望替代 DRAM 的技術有很多，如3D XPoint、MRAM、ReRAM，但專家們似乎認為這些技術還沒有替代 DRAM 的性價比優勢。

DRAM也有技術上規劃的改進方案以及HBM2和Hybrid Memory Cube等新型DRAM架構，需要指出的是DRAM和CPU之間的速度差距依然還是存在。

需求方面，過去兩年由於需求的一直增長，但製造商的產能提升有限。

從事DRAM和NAND研究的DRAMeXchange報導，由於三星，SK海力士和美光等主要製造商的產能投資需要時間，今年存儲器產能只增長了19.6%，達到歷史新低。

DRAMeXchange的數據同時預測，2018年DRAM晶片需求預計將增長30％以上。

由於製造商專注於滿足智慧型手機和數據中心的需求，因此今年DRAM市場的供應將繼續受到限制。

因此，無論是從替代的技術還是市場需求來看，DRAM的增長動力並未有減弱的跡象，並且三星也在積極推出新產品。

雷鋒網了解到，上月三星電子宣布首發量產8Gb LPDDR5顆粒，速率可達6400Mbps，比現有LPDDR4-4266內存快50%，同時功耗降低30%。

不過需要指出的是，宣傳上三星表示8Gb LODDR5採用10nm級別的工藝，但10nm級並不是10nm工藝，結合此前發布的產品應該還是18nm工藝。

那麼，你覺得三星真的能坐穩半導體龍頭的寶座嗎？