詳談華為全球首款7nm工藝ARM企業級TaiShan伺服器

至少四年以來，ARM一直致力於成為現代伺服器，成為現代數據中心以及雲中真正的企業級玩家的重要組成部分。

Arm在伺服器領域已經小有名聲，在全球超算500強中，由HPE提供的部署在Sandia國家實驗室的Astra超算系統就是ARM，該系統排名205位。

ARM大型晶片專注於Cortex核心系列。

但是，在長期與x86單線程高性能競爭中，ARM所必須的高性能核心Ares(並非Cortex)，將於2019年才推出，但華為已經宣布其擁有帶有Ares核心的硬體。

華為是一家大公司

討論到華為時，不得不提其智慧型手機和設備，如Mate 20或智慧型手機晶片，如Kirin(麒麟)家族。

這些都屬於華為的「消費者BG」，華為內部設計團隊HiSilicon創建了大量定製硬體和晶片。

HiSilicon的職責範圍從智慧型手機到數據機，再到SSD控制器再到PCIe控制器以及高性能企業計算處理器。

華為使RAM伺服器CPU成為可能

這些ARM處理器在Supercomputing 2018（SC18）會議上亮相，華為首款採用ARM架構的7nm Hi1620伺服器處理器，此外，去年推出的第四代TaiShan，Hi1610，Hi1612 Cortex-A57（2015/2016）和Hi1616等RAM處理器，這些早期的CPU專為平台開發和調試而設計，為商業部署做準備。

ARM處理器作為TaiShan伺服器系列的一部分，Hi1620將使用ARM IP等硬體，如Hi1616。

新的Hi1620被宣布為全球首款用於數據中心的7nm技術處理器，其中Ares內核將為其帶來高性能。

Hi1612是HiSilicon在2016年年中推出的一款64位ARM伺服器微處理器。

該晶片由TSMC在16nm製程工藝上製造，集成32個Cortex-A57核，工作在2.1 GHz。

1612支持多達256 GiB的四通道DDR4-2133存儲器。

Hi1620晶片基於ARM v8.2架構，單路可配置24~64核，每核心配置512KB二級緩存和1MB三緩，採用7nm製程工藝。

新的Hi1620每個插槽將具有24-64個內核，運行頻率為2.4-3.0 GHz。

這些內核中的每一個都具有64KB L1數據高速緩存和64 KB L1指令高速緩存，每個內核具有512KB的專用L2高速緩存。

L3將以1MB /核心的共享緩存運行，最高可達64MB。

相比Intel，在消費級Skylake核心範圍內，這意味著每個Hi1620核心有更多的L2緩存。

但是，

內存設置為8個通道，最高可達DDR4-3200，該晶片將支持高達4S的多插槽配置，每個晶片到晶片通信的相干SMP接口能夠達到240 GB/s。

Hi1620的IO設置為40個PCIe 4.0通道，小於Hi1616上的46個通道，但Hi1616採用的是PCIe 3.0。

Hi1620還將支持CCIX，以及雙100GbE MAC，一些USB 3.0和一些SAS連接。

ARM伺服器體系結構路線圖

華為表示，Hi1620將提供100W至200W的TDP範圍，核心數量不同，可針對內存限制工作負載進行微調的晶片。

目前，仍有許多未解決的問題，例如互連、Ares的微體系結構掌握度等，但有些記者預測，HiSilicon Hi1620將成為尚未出現的最先進的ARM企業伺服器架構，ARM應該在2019年上半年舉辦一場活動，旨在解除核心設計的問題。