格羅方德啟動成都12英寸晶圓項目；半導體大廠加碼投資擴產

2月10日，國內集成電路產業再迎重大項目布局，全球第二大晶圓代工廠格羅方德在成都高新區正式啟動12英寸晶圓製造項目。

此前格羅方德已經在德國、美國和新加坡三地共建設了9座晶圓廠，但此次投資的成都廠是格羅方德在全球投資規模最大、技術水平最先進的生產基地，足見其對中國集成電路市場的重視程度。

據了解，格羅方德成都12英寸晶圓製造基地項目投資規模累計超過100億美元，共分兩期進行。

首期建設以主流CMOS工藝為主，預計2018年底投產；二期建設以22nm FD-SOI先進工藝為主，預計2019年第四季度投產。

其中22nm FD-SOI生產工藝具有功耗省、綜合成本低等優勢，產品可被廣泛應用於移動終端、物聯網、智能設備、以及汽車電子等領域。

半導體大廠加碼投資擴產

新年伊始，全球各大半導體廠商投資建廠的消息就不斷被爆出，包括英特爾、三星和SK海力士都宣布了新的建廠計劃。

2月9日，英特爾執行長柯再奇在白宮宣布，將在美國亞利桑納州投資70億美元用於建設目前已經停工的Fab 42廠。

據悉，英特爾最初的計劃是利用該工廠生產智慧型手機晶片，不過目前英特爾已經退出了該市場。

如今，英特爾決定重新投資建設該廠，產品應用領域也從此前的手機晶片改成了物聯網設備、伺服器、汽車電子等。

此外，該工廠完工後直接創造的工作崗位將達3000個，而間接創造的工作機會甚至有可能超過1萬個，預計將在未來3~4年內完成建設。

不過，與英特爾在美國本土擴產不同的是，三星和SK海力士選擇的擴產工廠都在中國。

據外媒報導，為迎接存儲器市場需求熱潮，三星將在今明兩年追投約5萬億韓元（約合43.5億美元）的資金用於擴產三星在中國西安的3D NAND Flash廠。

此外，無錫市與SK海力士於近日就下階段戰略發展及拓展合作領域進行會談時達成共識，SK海力士將在無錫啟動第二工廠建設，總投資金額達到36億美元，但雙方並未透露進一步合作的具體計劃和信息。

西數生產全球最密集64層3D NAND晶片

2月7日，西部數據（「WD」）宣布已經在日本四日市製造廠開始試生產64層3D NAND 快閃記憶體晶片，該晶片也成為了目前全球最密集的NAND 快閃記憶體晶片，預計今年下半年開始量產。

據悉，該晶片容量從2016年的256GB提升至了512GB，採用「垂直堆疊技術」或西數與東芝共同稱作的Bit Cost Scaling（簡稱 BiCS）3D技術，晶片架構也從此前的MLC改成了TLC架構。

目前，該快閃記憶體晶片可被應用到外形如同口香糖般大小但容量高達3.3TB的SSD固態硬碟驅動器或容量超過10TB的標準2.5英寸SSD中。

東芝半導體事業3月拆分

為彌補因美國核電事業帶來的數千億日元的損失，1月27日，東芝宣布將在2017年3月31日分拆以NAND型快閃記憶體為主軸的存儲器事業(含SSD事業、不含影像傳感器)，同時成立一家新的半導體公司，並接受外部企業的出資。

此消息一出，立刻引起了包括以美光、SK海力士、西數為代表的半導體相關廠商和以美國貝恩資本（Bain Capital）為代表的投資基金的注意，而2月3日舉行的第一次招標過程顯示，剛剛收購完夏普的鴻海也加入了競標戰局。

不過，由於東芝半導體事業出售的股份不足20%（19.9%），讓不少準備參與競標廠商的態度由此前的積極「備戰」轉變為後來的觀望，連最初有意參與競標的佳能也作出「暫不投資」的決定，一時間讓東芝半導體事業究竟何去何從變得更加撲朔迷離。

最新消息是，目前東芝半導體事業股份出售的最高報價已經超過了預期，達到 4000億日元(約合人民幣242億元)，但東芝高管表示，除了報價之外，東芝還會考慮其他條件。