英特爾大連工廠轉產NAND快閃記憶體晶片

騰訊科技訊 10月21日消息，據外電報導，英特爾周二表示，該公司計劃讓位於大連的半導體製造工廠轉產存儲晶片。

在未來的三至五年內，該工廠的轉產將為英特爾帶來至少35億美元的支出。

英特爾稱，該公司對大連工廠的投資最高將達到55億美元。

英特爾大連工廠的轉產，正值全球晶片產業掀起整合浪潮之時。

中國當前正加速打造本地技術製造能力。

長期以來，英特爾的絕大多數營收都來自於計算機處理器和相關晶片業務。

這家公司一直通過嚴格的控制製造技術，來防止競爭對手的抄襲。

英特爾大連工廠雖然創辦於2010年，但是在製造工藝上卻落後於其它英特爾工廠兩代以上。

英特爾表示，通過對該工廠的轉產投資，它將成為領先的非易失性存儲晶片（ nonvolatile memory chips）製造商。

非易失性存儲晶片是指在斷電的情況下，晶片依舊能夠保存數據。

非易失性存儲晶片包括了目前被廣泛應用於智慧型手機、平板電腦的快閃記憶體晶片。

英特爾此舉不僅表明將進軍存儲晶片市場，而且會讓存儲晶片業務擁有更大的獨立性。

英特爾目前通過與美光的合資公司製造快閃記憶體晶片。

該公司製造的產品，被英特爾用於硬碟和其它存儲設備當中。

英特爾和美光最近開發出3D NAND快閃記憶體技術。

不同於將存儲晶片放置在單面，英特爾和美光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。

這樣一來，單個MLC快閃記憶體晶片上可以增加最高32GB的存儲空間。

英特爾表示，大連工廠預計將從2016年下半年開始生產3D NAND快閃記憶體晶片。

除去常規快閃記憶體晶片之外，英特爾和美光最近還宣布聯合開發出了3D XPoint技術，其速度是現有存儲卡和計算機固態驅動器所用NAND快閃記憶體技術的1000倍。

英特爾負責非易失性存儲晶片業務的副總裁羅伯·克魯克（Rob Crooke）在博客中表示，「英特爾與美光的關係依舊很好。

不過英特爾希望擁有額外提供快閃記憶體晶片的渠道。

」他說，「大連工廠的轉產是我們全球多元化供應戰略的一部分，能夠讓我們更好地服務於客戶。

」

美光發言人周二就此表示，該公司與英特爾依舊將保持緊密的合作夥伴關係。

該發言人稱，美光當前正考慮把英特爾在大連的工廠作為未來存儲設備的配件供應商之一。

中國目前擁有許多晶片製造商，但還沒有一家存儲晶片製造商。

清華紫光今年7月曾計劃230億美元收購美光。

消息人士稱，雙方的收購談判之所以破裂，是因為交易可能無法得到美國監管部門的批准。

英特爾股價周二在納斯達克證券市場常規交易中下跌0.15美元，跌幅為0.45%，報收於33.44美元。

在隨後的盤後交易中，英特爾股價下跌0.09美元，跌幅為0.27%，報收於33.35美元。

過去52周，英特爾最低股價為24.87美元，最高股價為37.90美元。

（明軒）

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