GaN,台積電下一個戰場
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與非網 3 月 6 日訊,因應 5G、電動車時代來臨,對於高頻、高壓功率元件需求大增,帶動氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等寬能隙半導體材料興起,全球晶圓代工龍頭台積電宣布與意法半導體合作開發 GaN,瞄準未來電動車之應用。
目前國際大廠包括英飛凌、Navitas、GaN Systems、Transphorm 等均積極部署 GaN,除了台積電之外,世界先進、嘉晶、漢磊、茂矽等也投入發展,相關商機備受期待。
在晶圓代工領域稱霸全球的台積電,宣布與國際功率半導體 IDM 大廠意法半導體攜手合作開發氮化鎵(Gallium Nitride;簡稱 GaN)製程技術。
這項舉動也象徵著台積電未來的發展,不在僅止於智能型手機、AI、高速運算等領域,未來將藉由 GaN 技術加速布局車用電子與電動車應用;期待和意法半導體合作把 GaN 功率電子的應用帶進工業與汽車功率轉換。
圖源:Reuters
根據市場研究報告預測,GaN 功率元件的市場增長快速,每年 CAGR 超過 30% ,預計到 2026 年市場規模將超過十億美元。
除 5G 通訊市場外,汽車和工業市場也是 GaN 功率元件的主要驅動力。
GaN 在車電商機可期
長期以來,半導體材料都是由矽(Si)作為基材,不過,矽基半導體受限於矽的物理性質,且面對電路微型化的趨勢,不論是在製程或功能的匹配性上已屆臨極限,愈來愈難符合晶片尺寸縮減、電路功能複雜、散熱效率高等多元的性能要求。
加上未來更多高頻率、高功率等相關電子應用,以及需要更省電、更低運行成本、並能整合更多功能性的半導體元件。
因此,近年來所謂的寬能隙半導體材料(WBG)─氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)等新一代半導體材料應運而生。
GaN、SiC 因導通電阻遠小於矽基材料,導通損失、切換損失降低,可帶來更高的能源轉換效率。
挾著高頻、高壓等優勢,加上導電性、散熱性佳,元件體積也較小,適合功率半導體應用。
相較於矽基元件,GaN 元件切換速度增快達十倍,同時可以在更高的最高溫度下運作,這些強大的材料本質特性讓 GaN 廣泛適用於具備一○○V與六五○V兩種電壓範疇持續成長的汽車、工業、電信、以及特定消費性電子應用產品。
其實
GaN 最早是應用在LED領域,1993 年時,日本日亞化學的中村修二成功以氮化鎵和氮化銦鎵(InGaN),開發出具高亮度的藍光 LED。
除了 LED 之外,GaN 的射頻零組件具有高頻、高功率、較寬頻寬、低功耗、小尺寸的特點,能有效在 5G 世代中節省 PCB 的空間,特別是手機內部空間上,且能達到良好的功耗控制。
目前在 GaN 射頻領域主要由美、日兩國企業主導,其中,以美商 Cree 居首,住友電工、東芝、富士通等日商緊追在後,陸系廠商如三安光電、海特高新、華進創威在此領域雖有著墨,但與國際大廠相比技術差距大。
不過,GaN 未來具有潛力的市場則是在車用電子與電動車領域,在汽車當中有三大應用是與電源相關的,即充電器、DC-DC 轉換器和牽引逆變器。
在這三大用途中,牽引逆變器是目前為止可以從 GaN 技術中受益最多的。
因為使用 GaN 元件後,可以減輕汽車的重量,提高能效,讓電動車能夠行駛更遠距離,同時可以使用更小的電池和冷卻系統。
Transphorm、英飛凌具備 GaN 專利
由日本名古屋大學、大阪大學,還有 Panasonic 等學校與企業所共同合作,利用 GaN 開發出電動車,可大幅減少電動設備的能源損失,消耗電力約可減少二成左右,得以提高電動車之續航力。
此外,車用電子採用 GaN 元件,從而實現更高的效率、更快速的開關速度、更小型化及更低的成本。
隨著汽車系統逐漸從十二V配電轉為四八V系統,這改變是由於越來越多電子功能需要更大的功率,以及在全自動駕駛車輛推出後,搭載更多系統,例如:雷射雷達(LiDAR)、毫米波雷達、照相機及超聲波傳感器,對配電系統要求更大的功率;若能採用 GaN 即可滿足高效率的配電系統需求。
至於在雷射雷達部分,與矽
MOSFET 元件相比,GaN 技術能夠更快速地觸發雷射信號,可使自動駕駛汽車可以看得更遠、更快速、更清晰。
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