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本論文研究是以RF原理作為理論基礎,並了解它在CVD製程機台的系統架構,利用網路分析儀量測Filter Module和Matching Network分析13.56MHz 2KW RF Generator,並 ...
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本論文永久網址: 複製永久網址Twitter研究生:林威民研究生(外文):WEI-MINLIN論文名稱:半導體設備13.56MHz2KWRFGenerator機台之研究與分析論文名稱(外文):TheResearchandAnalysisofSemiconductorEquipment13.56MHzRadioFrequencyGenerator指導教授:黃啓光指導教授(外文):CHI-KUANGHWANG學位類別:碩士校院名稱:中華大學系所名稱:電機工程學系碩士班學門:工程學門學類:電資工程學類論文種類:學術論文論文出版年:2015畢業學年度:103語文別:中文論文頁數:46中文關鍵詞:射頻產生器、化學氣相沉積、半導體、功率放大器外文關鍵詞:RFGenerator、ChemicalVaporDeposition、Semiconductor、PowerAmplifier相關次數:
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中文摘要本篇論文主要研究RF射頻產生器,13.56MHz2KWRFGenerator。
研究內容包含,一、13.56MHz2KWRFGenerator於化學氣相沈積(ChemicalVaporDeposition,CVD)之架構。
二、Generator內部各個Module之功能用途。
三、13.56MHz2KWRFGenerator內部的功率放大器、組合器和匹配網路的詳細電路。
本論文研究結果對於如何增進維修13.56MHz2KWRFGenerator的能力,提出有效的方法。
研究13.56MHz2KWRFGenerator具有高度的實質應用價值。
由於13.56MHz2KWRFGenerator廣泛的應用於半導體製程設備,瞭解研究射頻產生器是值得關注且研究的方向,13.56MHz2KWRFGenerator最大使用範疇在於化學氣相沈積製程機台上。
本論文研究是以RF原理作為理論基礎,並了解它在CVD製程機台的系統架構,利用網路分析儀量測FilterModule和MatchingNetwork分析13.56MHz2KWRFGenerator,並使用ADS(AdvancedDesignSystem)軟體進行數值模擬。
因此,研究13.56MHz2KWRFGenerator不僅對於理論研究有幫助,更能具體地呈現研究的高度實用成效。
在快速發展的時代,獲取日新月異的技術,唯有擁有瞭解最根本基礎的研究能力。
本論文結果可以提供,了解13.56MHz2KWRFGenerator原始製造者的想法和最終的目的,更重要的是當13.56MHz2KWRFGenerator損壞時,透過本研究結果,更能正確的分析出故障原因,進而縮短機台修復時間,期待以此為基礎,銜接乘載新技術的發展與延伸。
關鍵字:射頻產生器、化學氣相沈積、半導體、功率放大器
ABSTRUTThe13.56MHz2KWRFGeneratorplayanimportantroleinthesemiconductorsequipment,includingChemicalVaporDeposition(CVD).Thisthesisconsistsofthethreeparts,a,13.56MHz2KWRFGeneratorofCVDstructure.Second,eachoftheGeneratorModuleusesinternalfunctions.Three,13.56MHz2KWRFGeneratorinternalPowerAmplifier,CombinerandMatchingdetailedcircuit.Weshowthathowtoenhancetheabilitytorepair13.56MHz2KWRFGeneratorproposedeffectivemethod.13.56MHz2KWRFGeneratorusuallybeusedinthesemiconductormanufacturingequipment.TostudytheRFgeneratorhaveincreasedsignificantlyinthepasttenyears.ThisthesisisbasedonRFprinciplesasthetheoreticalbasis,andlearnitintheCVDsystem,theuseofnetworkanalyzermeasurementsCombinerandMatchingAnalysis13.56MHz2KWRFGenerator,anduseADS(AdvancedDesignSystem)softwarebeNumericalSimulation.Therefore,thestudy13.56MHz2KWRFGeneratorhelpfulnotonlyfortheoreticalresearch,morespecifically,thestudyshowedahighdegreeofpracticaleffectivenessinthemarket.Keywords:RFGenerator、ChemicalVaporDeposition(CVD)、semiconductor、PowerAmplifier
目錄中文摘要………………………………………………………………………………………………………………..…iABSTRACT……………………………………………………………………………………………………….….…ii誌謝…………………………………………………………………………………………………………………………iii目錄…………………………………………………………………………………………………………………………iv表目錄………………………………………..……………………………………………………………………………vi圖目錄………………………………………………………………………..…………………………………………vii第一章緒論…………………………………………………………………………………………………………….11-1.前言……………………………………………………………………………………………………………11-2.研究動機…………………………………………………………………………………………………….11-3.研究目的………………………………………………………………………………………………….…21-4.研究步驟與方法…………………………………………………………………………………………2第二章射頻產生器機台系統架構說明……………………………………………………………….…42-1.機台系統簡介………………………………………………………………………………………….…42-2.射頻產生器與製程反應室連接結構圖………………………………………………………52-3.射頻電漿原理………………………………………………………………………………………….…62-4.射頻產生器實體圖(含外觀及內部電路)…………………………………………….…102-5.射頻產生器內部系統方塊圖……………………………………………………………………11第三章射頻產生器E類功率放大器………………………………………………………………….…133-1.理想E類功率放大器簡介……………………………………………………………………..…133-2.理想E類功率放大器之ADS模擬……………………………………………………………16第四章射頻產生器之功率放大器、匹配網路使用ADS模擬………………………………244-1.功率放大器之量測與模擬…………………………………………………………………….…244-2.匹配網路之量測與模擬……………………………………………………………………………31第五章射頻產生器測試……………………………………………………………………………………….375-1.測試物品列表…………………………………………………………………………………………..375-2.射頻產生器功率測試…………………………………………………………………………….…38第六章結論………………………………………………………………………………………………………….42參考文獻………………………………………………………………………………………………………………..44表目錄表2-2.2同軸電纜線規格………….………………………………………………………………………..…6表2-3.5不同頻率的用途及應用…………………………………………………………………..….…10表3-1.3理想電晶體各個被動元件之方程式………………………………………………………15表5-1.1測試物品列…………………………………………………………………………………………….37表5-2.1機台電性規格……………………..…………………………………………………………………38表5-2.2機台測試資料……………………….…………………………………………….…………………38 圖目錄圖1-4.1研究步驟流程圖…………………………………………………………………………………3圖2-1.1顯示一個CVD反應器的結構圖……………………………………………………..…4圖2-2.1射頻產生器與製程反應室連接示意圖………………………………………………5圖2-3.1顯示一個AC電漿產生器的應用………………………………………………….……7圖2-3.2顯示一個電漿系統………………………………………………………………………….…8圖2-3.3離子化碰撞示意圖………………………………………………………………………….…9圖2-3.4頻率的分類…………………………………………………………………………………………9圖2-4.1射頻產生器正面實體圖……………………………………………………………………11圖2-4.2射頻產生器反面實體圖……………………………………………………………………11圖2-5.1射頻產生器內部系統方塊圖……………………………………………………………12圖3-1.1理想E類功率放大器電路示意圖………………………………………………….…13圖3-1.2理想E類功率放大器電晶體切換時汲極端電壓及電流波形圖………14圖3-1.4理想E類功率放大器之被動元件的設計步驟流程圖………………..……16圖3-2.1理想E類功率放大器ADS模擬電路圖……………………………………………17圖3-2.2輸入端Vin方波波形圖………………………………………………………………….…17圖3-2.3電晶體汲極端Vds電壓波形圖……………………………………………………..…18圖3-2.4電晶體汲極端Idd電流波形圖……………………………………………………….…18圖3-2.5直流電源供應端Idc電流波形圖……………………………………………………..19圖3-2.6電晶體汲極端對地電容Icd電流波形圖………………………………………….19圖3-2.7諧振電路I_load電流波形圖……………………………………………………….……20圖3-2.8負載輸出端Vout電壓波形圖……………………………………………………………20圖3-2.9電晶體直流負載線圖……………………………………………………………………….21圖3-2.10頻率響應圖………………………………………………………………………………………21圖3-2.11匯整各個電流之波形圖……………………………………………………………………22圖3-2.12導通角0~180度時實際之電流路徑圖………………………………………….…22圖3-2.13導通角180~360度時實際之電流路徑圖…………………………………………23圖4-1.1功率電晶體實體圖……………………………………………………………………………24圖4-1.2建立功率電晶體Model電路圖………………………………………………………..25圖4-1.3功率電晶體V_GS測試電路圖………………………………………………………………26圖4-1.4原廠V_GS特性曲線圖……………………………………………………………………….…26圖4-1.5使用ADS模擬副廠V_GS特性曲線圖…………………………………………………27圖4-1.6功率電晶體V_DS測試電路圖………………………………………………………..……28圖4-1.7原廠V_DS特性曲線圖…………………………………………………………………………29圖4-1.8使用ADS模擬副廠V_DS特性曲線圖…………………………………………………30圖4-2.1匹配網路實體圖…………………………………………………………………………….…31圖4-2.2匹配網路電路圖…………………………………………………………………………….…32圖4-2.3量測原廠匹配網路之Smithchart圖…………………………………………………33圖4-2.4使用ADS模擬原廠匹配網路之Smithchart圖……………………………..…34圖4-2.5量測原廠匹配網路之Bode圖……………………………………………………….…35圖4-2.6使用ADS模擬原廠匹配網路之Bode圖……………………………………….…36圖5-2.3射頻功率線性圖…………………………………………………………………………….…39圖5-2.4射頻功率meter測試圖…………………………………………………………………..…40圖5-2.5射頻功率控制器測試圖……………………………………………………………………40圖5-2.6射頻產生器測試圖……………………………………………………………………………41
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