ReRAM助力實現更像人腦的AI系統- 電子技術設計 - EDN Taiwan
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ReRAM被視為最具潛力的NAND快閃記憶體技術「接班人」，因為具備速度比NAND快1,000倍、所消耗能量又比NAND低1,000倍的優勢，而且能以 ... 雲端和AI如何趨勢推動運算型儲存的發展！立即報名>> 登入 註冊 聯繫 首頁 新聞 TechRoom IC/電路板/系統設計應用 消費性電子 工業控制應用 軍事應用 電腦/周邊應用 通訊/網路/無線應用 汽車電子 設計揭密 設計實例 產品新知 下載 線上研討會 小測驗 視訊 申請中心 研討會與活動 EE
延伸文章資訊
- 1Resistive random-access memory - Wikipedia
Resistive random-access memory (ReRAM or RRAM) is a type of non-volatile (NV) random-access (RAM...
- 2各種新興記憶體比較 - DigiTimes
... 是新的非揮發性記憶體，最主要包括相變半導體(Phase Change Memory；PCM)、可變電阻式記憶體(Resistive RAM；ReRAM)以及MRAM。
- 3可變電阻式記憶體- 维基百科，自由的百科全书
可變電阻式記憶體（英語：Resistive random-access memory，縮寫為RRAM 或ReRAM），是一種新型的非揮發性記憶體，和另一種新型的磁阻式隨機存取記憶體 ...
- 4ReRAM (Resistive Random Access Memory) : FUJITSU ...
Overview. ReRAM which stands for Resistive Random Access Memory is a non-volatile memory with ex...
- 5Is ReRAM Ready to Leave the R&D Phase? | EE Times
Both ReRAM and MRAM offer a lot of promise there.” Weebit Nano Ltd. is one company that's keen on...
