Sputter - 精密分析與材料研發中心

合金靶材(如:Ti/Al/Steel/Zn/Zr/Sn等)，接通反應氣體可做反應式濺鍍. ii. 300w RF Generator (射頻)－最大操作功率300W，可濺鍍金屬、合金或無機靶材(如:Al2O3/SiO2等). 跳到主要內容區 首頁 中心簡介 組織成員 簡介 相關法規 檢測類儀器 ESCA/XPS GC-MS TGA DMA CT Raman TXRF Halland4probe AFM WVTR TEM XRD FTIR FE-SEM OM OTR TC BET WaterContactAngle MicroPL(266nmlaser) PL(Xelamp) UV-Vis-NIR 製程類儀器 E-beamEvaporator Etch Plasma Sputter RolltoRoll 價目表 預約、繳費流程說明 預約儀器測試單下載 交通資訊 其他連結 北科大材資系貴重儀器 研究發展處 科技部貴重儀器資訊管理系統 國立臺北科技大學首頁 首頁 製程類儀器 Sputter 磁控式濺鍍機 廠牌：KaoDuenTechnologyCorporation 型號：R-24K08-SPUTTERING   製程項目 1.濺鍍電極共兩組，可做共濺鍍等摻雜複合材料。

2.電源供應系統  i.DCPlasmaGenerator(直流)／PulsedDCPlasmaGenerator(脈衝直流)   最大操作功率1000W，可濺鍍金屬.合金靶材(如:Ti/Al/Steel/Zn/Zr/Sn等)，接通反應氣體可做反應式濺鍍  ii.300wRFGenerator(射頻)－最大操作功率300W，可濺鍍金屬、合金或無機靶材(如:Al2O3/SiO2等) 3.氣體源 配有3種濺鍍用氣體，Ar(0.5~100sccm)O2(0.5~100sccm)N2(0.5~100sccm)(氣體流量計:Brooks5850E) 真空度:<90Minto5x10-6Torr 4.樣品限制    i.靶材尺寸:2吋SputterCathodex2EA(直徑50.8mm±0.1mm背板尺寸:直徑50.8mm±0.1mm)，     若本中心的靶材為貴單位所需的，可自行準備靶材或向同本中心委購，訂置靶材約需2~4週    ii.載台規格:4吋載台，載台下附加熱器最高溫度600度，載台可旋轉最大轉速30/min