友威科技股份有限公司::濺鍍,蝕刻,鍍膜,真空設備,電漿蝕刻,乾 ...

(二)進行表面改質，加入O / Ar離子轟擊可將被蝕刻材質表面的原子鍵結破壞，加速反應速率，同時可將再沈積於被蝕刻表面的產物或聚合物打掉，使被蝕刻表面能再與 ...

Applications of Plasma. •化學氣相沉積(CVD). •蝕刻(Etch). •物理氣相沉積(PVD). 離子轟擊(I I l t ti ). •離子轟擊(Ion Impla...

(2)離子轟擊(Ion Bombardment). 在輝光放電過程中氣體產生的帶正電荷離子受陰極負電壓吸引. 而衝向陰極(靶材)表面，靶材表面經此撞擊後，部份粒子被濺射出，.

以壓克力(arylic) 高分子基板為例，經由能. 量為750 eV 的氧氣離子束處理後，可使得接觸角. 由原始狀態的37° 減低至10°。 四、高能粒子轟擊對薄膜性質的影響. 在 ...

濺鍍（sputtering）是利用電漿（plasma）對靶材料進行離子轟擊（ion bombardment），而將靶材料表面的原子撞擊出來，這些靶原子以氣體分子型式發射出來， ...