反應式離子蝕刻機／Reactive Ion Etching
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反應式離子蝕刻機／ReactiveIonEtching 字體大小調整 小 中 大 一、儀器設備說明 本中心的電漿蝕刻系統：反應式離子蝕刻機(ReactiveIonEtching)，結合了物理性的離子轟擊與化學反應性蝕刻，兼具非等向性與高蝕刻選擇比的優點，製程氣體包含CF4、SF6、O2、N2、Ar，主要功能可分為 (一)矽基材質的蝕刻，製程氣體是以氟離
延伸文章資訊
- 1離子束製程技術簡介(下) - 儀科中心 - 國家實驗研究院
以壓克力(arylic) 高分子基板為例，經由能. 量為750 eV 的氧氣離子束處理後，可使得接觸角. 由原始狀態的37° 減低至10°。 四、高能粒子轟擊對薄膜性質的影響. 在 ...
- 2友威科技股份有限公司::濺鍍,蝕刻,鍍膜,真空設備,電漿蝕刻,乾 ...
濺鍍（sputtering）是利用電漿（plasma）對靶材料進行離子轟擊（ion bombardment），而將靶材料表面的原子撞擊出來，這些靶原子以氣體分子型式發射出來， ...
- 37 Plasma Basic 7 Plasma Basic
Applications of Plasma. •化學氣相沉積(CVD). •蝕刻(Etch). •物理氣相沉積(PVD). 離子轟擊(I I l t ti ). •離子轟擊(Ion Impla...
- 4第二章 感應耦合電漿蝕刻與AlGaN/GaN HEMT
純物理性蝕刻，又稱為離子轟擊蝕刻，是利用偏壓將電漿中帶電的正. 離子加速並往晶片表面轟擊，透過部分離子能量的轉移而將蝕刻材料擊. 出，可視為一種物理濺鍍( ...
- 5鍍膜後以電漿離子轟擊技術改善新穎CrAlSiN硬質薄膜之機械
仍在於電漿離子轟擊處理對薄膜具有等同冶金熱處理的效. 果，薄膜因電漿離子轟擊熱處理後產生晶粒成長、應力釋放. 等現象。未經CrAlSiN 硬質薄膜的硬度 ...
