VANTEX系列產品

Lam Research最新的介電層蝕刻系統可提供絕佳的效能和生產力，以創建最關鍵的高深寬比元件特徵。

Vantex™具備先進的射頻（RF）技術、均勻度控制和Equipment Intelligence® ... 跳轉至內容 VANTEX系列產品 VANTEX系列產品 Products ReactiveIonEtch AdvancedMemory 在半導體元件的製造過程中，介電層蝕刻是用來移除非導電材料的。

由於先進記憶體元件的結構特別具有挑戰性，像是極深的孔洞和溝槽，因此必須以嚴格的公差來製造。

LamResearch最新的介電層蝕刻系統可提供絕佳的效能和生產力，以創建最關鍵的高深寬比元件特徵。

Vantex™具備先進的射頻（RF）技術、均勻度控制和EquipmentIntelligence®功能，可滿足先進記憶體製造的要求。

IndustryChallenges 為了降低記憶體的單位位元成本，客戶需要克服多項挑戰，包括元件設計的積極垂直微縮、同步蝕刻多個特徵，以及實行複雜的新整合方式等。

垂直微縮要求更深的蝕刻深度，並保持相同的特徵關鍵尺寸（CD），以維持同樣的橫向元件密度。

因此，垂直方向的蝕刻變得至關重要，因為離子角度的微小偏差會造成特徵的嚴重位移，而使元件良率降低。

若要結合多次蝕刻來降低成本，需要具有不同CD和形狀的特徵能同時達到此效能。

此外，客戶的先進整合方式增加了多種材料的複雜性，需要更高的選擇性控制。

KeyCustomerBenefits 兼具嚴格CD控制和選擇性的最高深寬比蝕刻 透過最高的蝕刻速率和控制實現最高的生產力 先進的EquipmentIntelligence技術可實現晶圓至晶圓（wafer-to-wafer）效能的再現性 ProductOfferings Vantex™ KeyApplications 3DNAND高深寬比的孔洞、溝槽、接點 電容單元 ©2021LAMRESEARCHCORPORATION.ALLRIGHTSRESERVED. circle-arrow2circle-arrow2facebookgooglehandshake2health2linkedinlogomenupdfplant2searchtwitteryoutube close 公司 公司概述 公司概述 使命、願景、核心價值 領導團隊 董事會 公司歷史 LamCapital 企業社會責任 企業社會責任概述 環境健康與安全 供應鏈 英國現代奴隸法案 子公司 Coventor Silfex 公司位置 產品 產品概述 解決方案 製程 薄膜沉積 電漿蝕刻 光阻去除與晶圓清洗 質量測量 產品 客戶服務 客戶服務概述 客戶服務概述 服務 零件備品 功能升級 Reliant系統 技術訓練 MyLam 職業生涯 職業生涯概述 企業文化與員工福利 企業文化 員工福利 職涯發展 多元化 大學計畫 實習計畫 應屆畢業生計畫 搜尋工作 投資者 投資者概述 InvestorRelationsOverview 活動與簡報 公司治理 聯繫投資者關係 問答集 財務資料 每季盈餘 年報和代理機構訊息 SEC文件 美國國稅局表格8937 股票訊息 股票報價和圖表 歷史股票查詢 股利歷史 分析師報導 投資者資源 股東服務 資料索取 電子郵件提醒 新聞室首頁 新聞室首頁 新聞發佈 部落格 Languages 英語 德語 簡體中文 日語 韓語 繁體中文 MyLamLogin