電漿輔助化學氣相沈積 - 國立中興大學-光電半導體製程中心

PECVD系統使用射頻（radio-frequency，簡稱RF）電源供應器提供RF電磁波(13.56MHZ) 產生電漿，而腔體內部是以上下兩片極板所構成，此兩片極板通常為鋁製電極，晶片則是放置 ...   回首頁 /設備儀器內容     儀器介紹   儀器代碼 A-1 中文名稱 電漿輔助化學氣相沈積 英文名稱 PECVD1(PlasmaEnhanceChemicalVaporDeposition) 儀器經費來源 江雨龍 購入日期 2009-08-03 儀器位置 沉積室 儀器狀態 正常使用中 負責教授 江雨龍 聯絡電話 (04)22851549#902 E-mail [email protected] 儀器管理員 郭泰照   儀器概述 PECVD系統使用射頻（radio-frequency，簡稱RF）電源供應器提供RF電磁波(13.56MHZ)產生電漿，而腔體內部是以上下兩片極板所構成，此兩片極板通常為鋁製電極，晶片則是放置於下方電極基板上。

兩個電極間外加一個射頻(RF)電壓時，兩極間會有輝光放電現象。

製程氣體則由上方極板通入進入兩極板間的輝光放電區域，而製程所產生之癈氣則由抽氣幫浦抽至癈氣處理系統。

收費標準 注意事項 注意機台供水、電及氣狀況。

注意機台目前的狀況-PUMP、valve、RF、加熱器..等。

設定電漿系統，並注意反射功率不得10%。

每次實驗後必須使用無塵擦拭紙沾酒精做腔體清潔。

以吸塵器清潔乾淨，尤其是電極板處的氣體流出洞，請確保無殘留酒精。

注意使用的射頻產生器規格（13.56MHz或40.68MHz） Heater：實際溫度70℃以下才可破真空。

抽真空時注意腔體壓力，壓力到達時才可切換抽氣程序。