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宏捷科技股份有限公司 ... 宏捷科(8086.TW)創立於1998年4月,以製造砷化鎵異質介面雙極電晶體(GaAs HBT)與假型高速電子遷移率電晶體(pHEMT) 為主之晶片代工廠。
2020年8月中 ...
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(一)公司簡介
1.沿革與背景
宏捷科(8086.TW)創立於1998年4月,以製造砷化鎵異質介面雙極電晶體(GaAsHBT)與假型高速電子遷移率電晶體(pHEMT)為主之晶片代工廠。
2020年8月中美晶參與宏捷科私募,以每股價格77.7元,認購宏捷科私募普通股4,500萬股。
交易完成後,中美晶將持有宏捷科增資後的股權22.53%,成為最大股東。
2.營業項目與產品結構
2019年產品線營收比重為砷化鎵晶片佔比為97%、其他佔3%。
HBT終端主要運用於手機以及WiFi所需之功率放大器(PA),其中手機之比重約在65%,WiFi應用領域約35%。
至於pHEMT主要應用於Switch,pHEMT之業務營收比重約提升至14%。
新產品聚光型太陽能電池營收比重不到5%,為公司的下一個成長動能。
產品圖來源,公司網址 http://www.awsc.com.tw/
(二)產品與競爭條件
1.產品與技術簡介
射頻模組中的各電路產品中,功率放大器(PA)係以HBT來設計,而微波開關器(RFswitch)則利用D-modepHEMT來設計。
HBT(異質接面雙載子電晶體)
HBT是手機PA的主流產品,因HBT具有電池使用時間長、訊號轉換品質佳、元件面積小、製程良率高等特性,較MESFET與pHEMT更適合無線通訊使用。
PHEMT(假晶高速電子移動電晶體)
PHEMT具有超高頻及低雜訊特性,適用於高功率基地台,低雜訊放大器(LNA)及RFSwitch上。
由於3G手機的品質要求高,且晶片面積減小,手機的RFSwitch由PHEMT取代Sidiode,手機的RFSwitch主要的功能在於多頻(GSM/GPRS/EDGE/WCDMA)及多模(800MHz-2.6GHz)間之切換,是高階3G以上手機中的必備規格。
2.重要原物料及相關供應商
公司主要原料是磊晶片,GaAs元件基本特性多在磊晶成長時就已決定,因此公司採購以品質可靠且長期合作之磊晶供應商為主。
分成客戶指定及公司自主供應商:
客戶指定方面,公司大客戶Skywords指定IQE、高平磊晶、全新為主要供貨商,加上Skywords佔公司營收逾八成,因此使公司磊晶供應集中於IQE、高平磊晶。
3.產能狀況與生產能力
公司生產基地位於台南,截至2020年年底6吋砷化鎵晶圓產能約13,000片/月。
4.新產品與新技術
公司與日廠合作開發GPSLNA產品,具有GPS定位功能,可應用於手持式裝置、物聯網、車用市場,相關產品於2015年量產。
2015年,公司並與美系射頻元件龍頭廠合作開發智慧電錶前端模組,進軍節能市場,新品投資效益預計2016年發酵。
(三)市場需求與銷售競爭
1.產業結構與供需
砷化鎵產業上游關鍵材料為砷化鎵磊晶圓,產業鏈由上而下為IC設計、晶圓製造及封測,整個產業除晶圓製造外,設計與先進技術仍掌握在國際IDM大廠,砷化鎵晶圓製造市場中,IDM公司仍佔有超過70%的生產規模。
砷化鎵半導體相較於矽半導體具有高頻、抗輻射、電子遷移速率快、耐高溫等特性,主要應用在無線通訊、光通訊上,其中以無線通訊(2G/3G/4G/Wi-Fi)的普及為帶動砷化鎵產值的最大動力。
2010年砷化鎵市場產值達50億美元,年成長3成左右,至2015年約達64億元美元,其中行動通訊應用約佔50%比重,主要為智慧型手機成長推動。
以一支智慧型手機(3G或4G)為例,約用到5顆PA及1-2顆Switch;而2G手機使用2顆PA、無Switch;2.5G手機使用3顆PA、0-1顆Switch。
估計2012年,3G/4G手機滲透率從2011年的55%拉升到63%。
2010年HCPV系統在全球地面發電市場的裝機容量不到10MW(百萬瓦),佔太陽能光電總發電量僅不到0.1%。
1MW的電力產出需要約500片6吋砷化鎵太陽能晶片,而美國高聚光型電廠預計建置至少300MW產能,到2013年更將擴張到1GW。
2.銷售狀況
2019年銷售區域比重為台灣佔54%、美國佔23%、亞洲佔23%。
客戶概況方面,戶訂單主要來自美國砷化鎵IDM廠,主要大客戶為美商Skywprks,約佔公司營收的80%以上,公司為其唯一HBTPA晶圓合作夥伴,下單的產品以2G功率放大器為主,供應給大陸白牌廠商。
第二大客戶為Mircochip(原SST),其他則包括國際砷化鎵IDM廠以及上游IC設計公司。
公司的聚光型太陽能產品,於2011年7月已開始小量出貨給美國客戶,單月出貨量仍僅約500片。
2014年7月,公司受到客戶Skyworks自建產能影響,客戶代工比重降至約50~60%。
公司透過聯發科打入大陸4G手機市場,於2015年Q2起出貨PA給Samsung、小米等客戶。
3.國內外競爭廠商
全球主要砷化鎵晶圓代工廠,國內有穩懋、宏捷科與及聯穎(聯電集團),國外有Triquint、GCS。
全球主要砷化鎵IDM廠商包括Skyworks、Triquint、Anadigics、Avago、RFMD等,合佔全球6成比重。
分類主題:
砷化鎵相關‧化合物晶圓‧宏捷科
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